SD控制器 | S9 NAND闪存控制器
用于SD卡、DoB和eSD存储系统的可靠 SD & microSD NAND闪存控制器Hyperstone S9系列闪存控制器连同固件，为工业、高耐用性和强大的快闪记忆卡或嵌入式存储解决方案提供了易于使用的统包解决方案，与 SD 主机系统兼容，最高可达 SD 7.1 接口标准。
- 专为满足工业要求而设计
- 32位微处理器内核，具有优化的指令集和用于闪存处理的附加硬件加速器
- hyMap®基于子页面（sub-page)的客制化闪存转换层 (FTL) 可实现最佳的随机写入性能、最小的写入放大，因此无需外部 DRAM 即可实现最高的耐用性
- FlashXE® eXtended Endurance读取通道针对每个闪存、高级 ECC 算法和软译码功能、读取重试、RAID 和数据恢复功能进行了调整和优化，以确保最小可能的读取错误率
- 持续更新的闪存支持
- hyReliability™闪存管理，包括卓越的磨损均衡、读取干扰管理、动态数据刷新和电源故障管理，确保最高的可靠性和耐用性
- 针对辐射和软错误的先进保护，包括 SRAM ECC 和low-alpha封装
- 统包解决方案，包括固件、制造套件、测试和开发硬件、参考原理图以及健康监测工具
S9产品信息
目标应用
- SecureDigital (SD) cards
- microSD cards
- Disk-on-board
产品性能
- 连续读取高达 90MB/s
- 连续写入高达 90MB/s
- 持续 4K 随机写入超过 7.5MB/s
主机接口&兼容
- 符合 SD 物理层规范版本 3.01 至 7.1
- 可支持CPRM
- 支援DS、HS、SDR12、SDR25、SDR50、SDR104 和 DDR50 传输模式
- SDR104 模式下主机传输速率高达 104 MByte/s
- 对 C2 加密和解密例程 (CPRM)的硬件支持
- 用于 1.8V 闪存 I/O 电源的片上稳压器
闪存管理
- hyReliability™闪存管理：卓越的磨损均衡、读取干扰管理和电源故障管理，以确保最高的可靠性和耐用性
- hyMap®基于子页面的客制化闪存转换层 (FTL) 可实现最佳的随机写入性能、最小的写入放大，从而为强调随机存取的使用配置文件提供最高的耐用性（例如 JEDEC 企业工作负载）
- 用于 SLC 缓存、过度配置、RAID 保护和性能调整的灵活预格式化设置，包括针对快速启动时间的优化
- 先进的热管理功能可在扩展温度下最大限度地提高性能和数据保护
- 静态、动态和全局磨损均衡
- 坏块管理、智能垃圾收集和支持交错、缓存和多平面编程
- 读干扰管理和动态数据刷新
- 同类产品中最佳的电源故障管理
- 固件冗余存储，用于恢复和刷新以及现场固件更新，而不会丢失用户数据
控制器&微处理器
- 基于Hyperstone架构的高性能微处理器内核
- 通过内部振荡器和PLL发展灵活的时钟频率
- 片上温度传感器
- 在等待主机数据或闪存操作完成期间的自动断电模式，在主机不活动期间的自动睡眠模式
- 电源电压断电检测可实现完全断电稳健性
- 用于 1.1V 处理器内核电源的片上稳压器
闪存 & 界面管理
- 支持传统异步、切换模式和 ONFI NAND
- 支持ONFI SDR、NV-DDR、NV-DDR2 和 NV-DDR3 传输模式
- 闪存的数据传输速率高达 400 MByte/s
- 灵活内部存储器中的页面缓冲区可实现最佳闪存信道性能
- 支持闪存连接的所有控制信号
- 支持多达4个闪存片选
- 支持高达 16 KB 的闪存页面大小
- 固件支持持续更新所有可用技术，包括SLC、pSLC、MLC、pMLC和3D TLC 以及下一代 NAND 闪存
- FlashXE® eXtended Endurance读取通道针对每个闪存、具有软信息解碼、读取重试、RAID和数据恢复功能的先进ECC算法进行了优化，以确保尽可能低的读取错误率和最大的耐用性
- 闪存断电逻辑和闪存写入保护控制
- 闪存中的固件存储，由boot ROM加载到内部存储器
- 用于 1.2V/1.8V闪存I/O 电源的片上稳压器
Block Diagram
购买信息
- S9-LAK08 (LGA 64, 7.5 x 4 x 0.7mm, 4CEs, RoHs, -40 to +85 °C)
如需芯片/晶圆和客制化microSD 卡，请联系sales team.
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