S9 | SD NAND Flash Controller

SD Controller für industrielle und zuverlässige NAND Flash Speicherlösungen

SD Controller | S9 NAND Flash Memory Controller

Reliable SD, microSD NAND Flash Controller for SD Cards, DoB and eSD Storage Systems

Die Hyperstone S9 NAND Flash Controller Familie bietet zusammen mit der bereitgestellen Firmware eine Gesamtlösung für industrielle, langlebige Flash-Speicherkarten und Module, die zu Host-Systemen mit dem SD Interface bis zu dem Standard 7.1 kompatibel sind.

  • Entwickelt für den Einsatz in industriellen Anwendungen
  • 32-Bit Core Mikroprozessor mit optimiertem Befehlssatz und zusätzlicher Hardwarebeschleunigung für Flash-Speicher-Management
  • hyMap® anpassbarer sub-page-basierter Flash Translation Layer (FTL) ermöglicht erstklassige Random-Write Performance, minimale Write-Amplification und dadurch die höchste Endurance ohne externen DRAM
  • FlashXE® (eXtended Endurance): angepasster und für den jeweiligen Flash optimierter Lesevorgang, fortschrittliche ECC-Algorithmen und Unterstützung für Soft-Dekodierung, Lesewiederholungs-, RAID und Datenrettungsfunktionen, um niedrigste Fehlerraten zu erreichen
  • hyReliability™ Flash Management mit ausgezeichnetem Wear-Leveling, Read-Disturb Management, Dynamic-Data-Refresh und Stromausfall-Management um die beste Zuverlässigkeit und Endurance zu gewährleisten
  • Fortschrittliche Schutzmechanismen wie SRAM ECC und ein Low-Alpha Package
  • Komplettpaket inklusive Firmware, Test- und Entwicklungshardware, Referenzschaltbild und Health-Monitoring-Tools

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Hyperstone S9 NAND Flash Memory Controller

S-600 / S-250

Swissbit Industrielle SD Speicher Karten
  • Industrietaugliche SLC
  • Höchstleistung bei sequentiellem Lesen/Schreiben
  • Autonomes Datenpflegemanagement
  • SD-Karte in Industriequalität
  • Stromausfallschutz und Lesestörungsmanagement
  • Besonders hohe Widerstandsfähigkeit durch integrierten Chip
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EM-30 / EM-36

Swissbit Managed NAND eMMC Lösung
  • e.MMC JEDEC 5.1 Standard (JESD84-B50)
  • 153 Ball BGA, Rastermaß 0,5 mm, 11,5 x13 mm
  • 100-ball BGA, 1.0mm pitch 14.0 x 18mm
  • Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis 105 °C
  • Mehrere Partitionen in 3D TLC und pSLC konfigurierbar (EM-30)
  • Im 100%-pSLC vorkonfiguriert (EM-36)
  • AEC-Q100-2 automotive standard
  • Lesestörungsmanagement
  • Stromausfallschutz
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S9 Produkt Informationen

Anwendungen
  • SecureDigital (SD)-Karten
  • microSD-Karten
  • Disk-on-Board

Performance
  • Sequentielles Lesen bis zu 90MB/s
  • Sequentielles Schreiben bis zu 90MB/s
  • Sustained 4K random write über 7.5MB/s

Host Interface & Compliance
  • Entspricht den SD Physical Layer Specifications Versionen 3.01 bis 7.1
  • CPRM kann unterstützt werden
  • Unterstützt die Übertragungsmodi DS, HS, SDR12, SDR25, SDR50, SDR104 und DDR50
  • Host-Übertragungsrate von bis zu 104 MByte/s im SDR104-Modus
  • Hardware-Unterstützung für die C2-Verschlüsselungs- und Entschlüsselungsroutinen (CPRM)
  • On-Chip-Spannungsregler für 1,8V-Signalspannung in SD 3.0-Übertragungsmodi

Flash Memory Management
  • hyReliability™ Flash Management: Überlegenes Wear Leveling, Read Disturb Management und Stromausfallmanagement zur Gewährleistung höchster Zuverlässigkeit und Lebensdauer
  • Anpassbares hyMap® sub-page based Flash Translation Layer, ermöglicht eine unübertroffene random Schreibleistung, minimale Write Amplification und folglich die höchste Ausdauer für Nutzungsprofile mit Schwerpunkt auf randomisierte Zugriffe (z.B. JEDEC Enterprise Workload)
  • Flexible Präformat Einstellungen für SLC-Caching, Over-Provisioning, RAID-Schutz und Leistungsoptimierung einschließlich Optimierung für schnelle Boot-Zeiten
  • Fortschrittliches Wärmemanagement: Funktionen zur Maximierung der Leistung und des Datenschutzes bei erweiterten Temperaturen
  • Statisches, dynamisches und globales Wear-Leveling
  • Verwaltung von fehlerhaften Blöcken, intelligente Speicherbereinigung und Unterstützung für Interleaving, Cache und Multi-Plane Programmierung
  • Read Disturb Management und dynamische Datenaktualisierung
  • Klassenbestes Stromausfall-Management
  • Firmware wird redundant gespeichert, um eine Wiederherstellung und Auffrischung sowie Firmware-Updates ohne den Verlust von Nutzerdaten im Feld zu ermöglichen
Controller & CPU
  • Hochleistungsmikroprozessorkern basierend auf der Hyperstone-Architektur
  • Flexible Taktfrequenzerzeugung durch internen Oszillator und PLL
  • On-die temperature-Sensor
  • Automatischer Abschaltmodus während der Wartezeiten auf Hostbefehle oder des Flash-Speicherbetriebs, automatischer Schlafmodus während der Inaktivitätszeiten des Hosts
  • Überwachung und kontrollierte Abschaltung der Versorgungsspannung für umfangreiche Zuverlässigkeit bei Stromschwankungen
  • On-Chip-Spannungsregler für 1,1 V Prozessorkernstromversorgung

Flash Memory & Interface Handling
  • Unterstützt asynchrone Legacy, Toggle Modus und ONFI NAND
  • Unterstützt die Übertragungsmodi ONFI SDR, NV-DDR, NV-DDR2 und NV-DDR3
  • Datenübertragungsrate zu Flash-Speichern bis zu 400 MByte/s
  • Flexibler Page Buffer im internen Speicher ermöglichen optimale Leistung des Flash-Kanals
  • Unterstützt alle Steuersignale für die Flash-Speicher-Verbindung
  • Unterstützt bis zu 4 Flash Chip Selects
  • Unterstützt Flash-Page Größen bis zu 16 Kbyte
  • Firmware-Unterstützung wird kontinuierlich aktualisiert, um Firmware für alle verfügbaren Technologien einschließlich SLC, pSLC, MLC, pMLC und 3D TLC sowie NAND-Flashes der nächsten Generation zu bieten
  • FlashXE® eXtended Endurance Kanal-Optimierung für jeden Flashtypen, erweiterte BCH- und GCC-ECC-Algorithmen mit 1 KB bis 4 KB Codewörtern und Soft-Information-ECC-Decodierung, Lesewiederholung, RAID- und Datenwiederherstellungsfunktionen zur Gewährleistung geringstmöglicher Lesefehlerraten und maximaler Ausdauer
  • Flash-Speicher-Abschaltlogik und Flash-Speicher-Schreibschutzsteuerung
  • Firmware-Speicherung im Flash, wird durch das Boot-ROM in den internen Speicher geladen
  • On-Chip-Spannungsregler für 1,2V/1,8V-Flash-Speicher-E/A-Stromversorgung

Block Diagram
Hyperstone S9 Block Diagram
Bestellinformation
  • S9-LAK08 (LGA 64, 7.5 x 4 x 0.7mm, 4CEs, RoHs, -40 to +85 °C) 

Für Die/Wafer und maßgeschneiderte µSD-Karten kontaktieren Sie bitte unser Vertriebsteam.

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