U9闪存控制器

可靠的NAND闪存控制器用于工业存储解决方案
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USB 3.1 NAND闪存控制器

可靠的USB 3.1 NAND闪存控制器，适用于工业级USB闪存驱动器和eUSB模块

Hyperstone U9 NAND 闪存控制器为工业级、高耐用性和坚固耐用的闪存驱动器或模块提供易于使用的交钥匙解决方案，这些驱动器或模块与具有 USB 3.1 SuperSpeed 5 Gbps 接口的主机系统兼容。

  • 旨在完全满足工业要求和功能要求
  • hyReliability™ 闪存管理，包括卓越的磨损均衡、读取干扰管理和电源故障管理
  • hyMap® Flash 转换层和映射提供首屈一指的随机写入性能、最小的写入放大，因此对于随机访问大量使用配置文件（例如 JEDEC Enterprise）具有最高的耐久性
  • 灵活的 96 位/1K BCH ECC 引擎，支持所有闪存要求
  • 优化的 32 位 RISC 内核，用于闪存处理的指令集
  • 高性能动态 AES 128 和 256 加密引擎
  • 16 个 GPIO，用于客户特定应用，支持 SPI、I2C 和 ISO7816 或额外的闪存 CE
  • 内置温度感应功能

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Hyperstone U9 NAND Flash Memory Controller

U-500, U-56, U-58

Swissbit eUSB模块
  • 基于 U-500 SLC 的 NAND
    U-56 everbit™ pSLC/U-58 3D pSLC
  • USB 3.1 – 超高速
  • 热插拔功能，无数据丢失
  • 工业温度范围 -40°C 至 85°C 和 0°C 至 70°C
  • 基于页面的 FTL，提供最佳写入性能和耐久性
  • 标准和小型连接器
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U-500k, U-56k, U-50k

Swissbit USB "Key" 闪存盘
  • 基于 U-500k SLC 的 NAND
    U-56k everbit™ pSLC/U-50k MLC durabit™
  • USB 3.1 – 超高速
  • 热插拔功能，无数据丢失
  • 工业温度范围 -40°C 至 85°C 和 0°C 至 70°C
  • 基于页面的 FTL，提供最佳写入性能和耐久性
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U-50n, U-56n

Swissbit "Nano" 闪存盘
  • U-56n everbit™ pSLC/U-50n MLC durabit™
  • USB 3.1 – 超高速
  • 热插拔功能，无数据丢失
  • 工业温度范围 -40°C 至 85°C 和 0°C 至 70°C
  • 基于页面的 FTL，提供最佳写入性能和耐久性
  • 坚固的外壳，带 LED
  • 安全选件
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U9产品信息

Target Application

  • 工业用途USB闪存装置
  • eUSB,嵌入式USB模块
  • 超耐用闪存装置
  • 安全性闪存装置
  • 多芯片封装
  • 板上电子盘
Performance

  • 完全符合USB 3.1 Gen 1规格
  • USB群储存装置质量 (MSC)
  • 支持 USB 连接 SCSI 协议(UASP)
  • SpeedSuperSpeed、高速、全速
  • 主机传输速度最高可达5 Gbps
  • 连续读取速度最高可达200 MB/s
  • 连续写入速度最高可达150 MB/s
  • 持续4K随机写入超过5 MB/s
  • 支持安全清除和Sanitize 擦除功能
  • 自我监测、分析及报告技术以及硬盘的健康情况监控
  • -40 to +85 °C工规

Host Interface & Compliance

  • 完全符合USB 3.1 Gen1 规格
  • USB群储存装置质量 (MSC)
  • 可支持USB人性接口装置(HID)
  • 四个可安装配置端点
  • 支持高速，全速以及SuperSpeed 5Gbps传输
  • 大量,同步和中断传输模式
  • 支持 USB 连接 SCSI 协议(UASP)
  • 透过指令使用ATA的S.M.A.R.T. Sanitize 擦除功能以及安全清除支持
  • 可设定提早响应避免断电时数据遗失

Controller & CPU

  • 32位高性能Hyperstone RISC微处理器
  • 大容量内部RAM使固件更具灵活性
  • 16个GPIO管脚提供给客户特别的应用，多重可选的界面包括：16 GPIO，SPI，I2C, 8x CE 和 ISO7816
  • NTC 热敏电阻接口和 ADC模拟数字转换器提供精确温度记录和优化的读/写操作
  • 为安全应用提供唯一的身份识别
  • 高性能动态实时加密/解密支持128和256为AES加密， CBC和XTS模式
  • 硬件 RNG
  • 通过内部的晶振和锁相环产生灵活的时钟频率
  • 主机数据等待和闪存操作结束自动进入休眠模式，主机非忙碌阶段自动进入睡眠模式
  • 片上转换电压装置产生1.2伏控制器内核的电源
  • 供应电压 3.3V ± 5%
  • 应用程序撰写接口(API)以及软件开发工具包(SDK)

Flash Memory & Interface Handling

  • 直接闪存访问(DFA)携处理器包含页缓冲器和交织功能
  • DDR接口符合Toggle DDR和ONFI 2.1规格并兼容所有DDR闪存
  • 异步SDR接口符合ONFI1.0规格并兼容以前接口规格的闪存
  • 双电路数据传输至闪存的速度最高可达每一电路220 MB/s
  • 灵活的96-Bit/1K BCH ECC机制支持所有的闪存
  • CRC提供附加的稳定性
  • 可直接连接最多8个闪存芯片(CE)
  • 闪存断电逻辑电路和写保护控制
  • 支持所有闪存技术和最大16KB的闪存页面
  • 片上电压装置产生1.8伏闪存输入输出电源

Flash Memory Management

  • hyReliability™ 闪存管理对稳定性，断电安全，耐久度，数据保存和性能进行了优化
  • 为了随机使用分析数据 (例如 JEDEC Enterprise) ，hyMap®闪存转换层提供领先的随机写入功能，最小的写入放大，以及最高等级耐久度
  • 完整的闪存转换层随机闪存数据访问包括逻辑块地址到物理块地址的映像
  • 坏块管理
  • 通过静态、动力和全局的均衡损耗来实现闪存耐久度最大化
  • 智能型垃圾回收
  • 由读取干扰引起的数据保存和刷新数据方面的问题通过读取干扰管理和动态数据刷新来实现最优化
  • 对突发断电进行管理
  • 交织，缓冲存储和多平面写入
  • 进行固件冗余存储确保数据恢复和更新
  • 无用户数据丢失的现场固件更新
  • 根据要求可实现固件的客制化，最优化和个性化
Block Diagram
Hyperstone U9 Block Diagram
Order Information

  • U9-RBB06 (TFBGA-124, 9x9x1.2mm, 8 CEs, RoHS, -40 to +85 °C, tape-and-reel)
  • U9-RBB06-Y (TFBGA-124, 9x9x1.2mm, 8 CEs, RoHS, -40 to +85 °C, tray)
  • U9-0BBD0 (Tested Die / Wafer)

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