SSD Controller | SATA NAND Flash Controller
Sicherer, zuverlässiger und robuster Controller für 2,5”, 1,8”, U.2 und M.2 SSDs, CFast Karten und DoB-Speichersysteme- Entwickelt für den Einsatz in industriellen Anwendungen
- Energieeffizientester SATA SSD Controller
- 32-Bit Dual-Core Mikroprozessor mit optimiertem Befehlssatz und zusätzlicher Hardwarebeschleunigung für Flash-Speicher-Management
- hyMap® anpassbarer sub-page-basierter Flash Translation Layer (FTL) ermöglicht erstklassige Random-Write Performance, minimale Write-Amplification und dadurch die höchste Endurance ohne externen DRAM
- FlashXE® (eXtended Endurance): angepasster und für den jeweiligen Flash optimierter Lesevorgang, fortschrittliche ECC-Algorithmen und Unterstützung für Soft-Dekodierung, Lesewiederholungs-, RAID und Datenrettungsfunktionen, um niedrigste Fehlerraten zu erreichen
- Kontinuierliche Aktualisierung des Flash-Supports
- hyReliability™ Flash Management mit ausgezeichnetem Wear-Leveling, Read-Disturb Management, Dynamic-Data-Refresh und Stromausfall-Management um die beste Zuverlässigkeit und Endurance zu gewährleisten
- Fortschrittliche Schutzmechanismen wie End-to-End Datapath-Protection, SRAM ECC und ein Low-Alpha Package
- Fortschrittliche Sicherheits- und Verschlüsselungstechnologie
- Kundenspezifische Erweiterungen und Entwicklung durch ein Firmware API
- Komplettpaket inklusive Firmware, Test- und Entwicklungshardware, Referenzschaltbild und Health-Monitoring-Tools
X1 Produkt Informationen
Zielanwendungen
- Solid State Drives (SSDs) für industrielle und andere Anwendungen, die höchste Zuverlässigkeit erfordern
- Embedded-Flash Module wie U.2, M.2, MO-297 und MO-300
- CFast Karten
- System-in-Package (SiP) und Embedded Flash Drives (eSSD)
- Diskrete on-board Flash-Speicher oder Disk-on-Board (DoB) Integration
Übertragungsgeschwindigkeit
- Sequentielles Lesen bis zu 550 MB/s
- Sequentielles Schreiben bis zu 500 MB/s
- Random Schreiben 80,000 IOPS fresh-out-of-the-box, 20,000 IOPS im Steady-State (4K)
- Random Lesen in IOPS: 40,000
Host-Interface und Compliance
- Serial ATA 3.3 konform
- SATA Gen3 (6,0 Gb/s) konform und rückwärtskompatibel mit SATA Gen1 (1,5 Gb/s) und SATA Gen1 (3,0 Gb/s)
- ATA-8 Standard konform
- CFast 2.0 Standard konform
- S.M.A.R.T und Health-Monitoring
- Temperaturbereich von -40 bis +85 °C
- SATA „Slumber“ und „DevSleep“ Unterstützung
Controller & CPU
- Hoch performanter Dual-Core Mikroprozessor basierend auf Hyperstones Architektur
- Flexible Einstellung der Frequenz durch Quarz und PLL
- 16 GPIO Pins für kundenspezifische Anwendungen
- Spezielle GPIO Übertragungsmodi einschließlich ISO 7816, I2C und SPI
- On-die Temperatursensor und Unterstützung für einen optionalen externen Sensor
- Automatischer Stromsparmodus während des Wartens auf Host-/Flash-Aktivität, automatischer Ruhemodus während Hostinaktivität
- Real-Time-Clock (RTC)
- End-to-End (E2E) Datapath-Protection
- SRAM ECC
- TCG Opal Unterstützung
- Verschlüsslung nach AES-128 und AES-256, Unterstützung für CBC und XTS Modus
- Zufallszahlengenerator
- SHA-256 Hash-Generator
- Secure-Boot
- niedriger Energieverbrauch
Flash Interface
- Unterstützung für Legacy, Toggle-1/Toggle-2, ONFI NV-DDR und NV-DDR2 NAND Flash
- Zwei unabhängige Fash-Kanäle
- Übertragungsraten zum Flash bis zu 400 MByte/s auf jedem Kanal
- Bis zu 16 Chip-Selects
- Flash-Page Größen von 2KB bis 16KB und mehr
- Kompatibel mit verschiedensten Flash-Technologien: SLC, 3D MLC, 3D TLC und der nächsten Flash-Generation
- Unterstützung von pSLC und pMLC Modi
- Unterstützung der Stromsparmodi der Flashs und des Schreibschutzes
- Die Firmware ist im Flash gespeichert und wird durch den Boot ROM in den internen Speicher geladen
- FlashXE® umfasst Flash-Charakterisierung, Kalibrierung, fortschrittliche ECC-Algorithmen mit 1KB bis 4KB Codewörtern und Soft-Decodierung, Lesewiederholungs- und RAID-Funktionen, um die geringstmögliche Lesefehlerrate zu gewährleisten.
Flash Memory Management
- HyReliability™ Flash-Managementfunktionen, bestehend aus optimiertem Wear-Leveling, Read-Disturb-Management und speziellen Vorkehrungen für den Fall eines Stromausfalls, garantieren einen äußerst zuverlässigen und langfristigen Betrieb von Speichersystemen
- hyMap®: Der anpassbare sub-page-basierte Flash-Translation-Layer stellt dem Kunden die höchstmögliche Schreibleistung bei kleinen Datenmengen und zufälligen Zugriffen zur Verfügung und verlängert dabei die Lebensdauer signifikant. Dabei kann das System auf kundenspezifische Anforderungen optimiert werden
- Flexible Einstellungen für SLC-Caching, Over-Provisioning, RAID und Performance-Tuning
- Optimierte Systemsteuerung hinsichtlich Schreib-/Leseleistung in Abhängigkeit vom Temperaturverlauf unter Berücksichtigung der Anforderungen an die Datenintegrität
- Minimale Dauer des Boot-Prozesses
- Maximale Lebensdauer des Speichers durch optimales Wear-Leveling
- Überwachung der Qualität jedes einzelnen Blocks (Bad-Block-Management)
- Intelligente Garbage-Collection
- Read-Disturb-Management und Dynamic-Data-Refresh stellen die Qualität und Verfügbarkeit von nicht oder selten benutzten Daten sicher
- Zuverlässiger Schutz vor Datenverlust bei Stromausfall unter allen Bedingungen
- Optimierung der Schreib- und Leseleistung durch parallele Zugriffe auf die Flashspeicherzellen
- Redundante Speicherung der Firmware zur Vermeidung von Systemausfällen
- Updates der Firmware im System ohne jeglichen Verlust von Nutzerdaten möglich
- Zuverlässige Löschmechanismen für höchstmöglichen Datenschutz
- Entwicklung kundenspezifischer Firmware-Erweiterungen mit Hilfe eines API eröffnet Möglichkeiten zur Differenzierung über einzigartige Features und Funktionen (Key Management, Anschluss SmartIC, etc.)
- Kundenspezifische Anpassungen und Optimierung der Firmware für die Unterstützung spezieller Anforderungen
Block Diagramm
Bestellinformation
- X1-RAB07 (TFBGA-144, 10.4 x 10.4 x 1.2 mm, 16 CEs, RoHS, -40 to +85 °C)
- X1-RAB06 (TFBGA-124, 9 x 9 x 1.2 mm, 16 CEs, RoHS, -40 to +85 °C)
- X1-LAB06 (TFBGA-124, 9 x 9 x 1.2 mm, 8 CEs, RoHS, 0 to +70 °C)
- X1-0ABD0 (Probed Die, 16 CEs, RoHS, -40 to +85 °C)
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