S6闪存控制器

可靠的NAND闪存控制器用于工业存储解决方案

S6

SD以及MMC 闪存控制器

海派世通的S6记忆卡控制IC及其具备的韧体与应用程序,为适用MMC4.2及SD 2.0界面的高可靠性与处理能力的记忆卡解决方式,提供了一个易于使用及一应俱全的解决方式及平台。

  • 取得专利的平均损耗算法(wear-leveling)技术与ECC技术,确保高可靠性与耐用度
  • 最佳化32 Bit RISC 核心,指令集和韧体,适用于闪存处理技术
  • 拥有DFA(Dual channel Direct Flash Access unit)技术,包含交错处理模式的暂存区
  • 广大的暂存区,得以拥有最高的MLC处理效率
  • 最低功耗设计,兼具节能功能
  • 只需透过简单的韧体更新,不必更换硬件,即可拥有智能型与客制功能
  • 附加的UART可连结如安全控制器(security controller)等外接装置
  • 不再需要外接稳压器,检测器或者二极管的专用标准产品
  • 特殊电源损失防护包含透过优化固件处理的MLC flash
  • 包括固件,生产组件,测试,开发硬件,及SD或MMC卡的参考图在内的一体化方案

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Product Information

目标应用

  • SecureDigitialTM - 工业及消费者应用的SD卡
  • 消费者的microSD卡和移动式应用
  • MultiMediaCardsTM (MMC)
  • eMMC嵌入式闪存
  • 多芯片封装(MCP)
  • 智能卡

产品性能

  • 4KB页面大小的SLC以及MLC 闪存芯片的两倍4KB大页面缓冲器,每一途径达到最佳效能
  • 使用SD模式的SLC持续读写分别高达24和23 MB/s
  • 使用SD模式的MLC持续读写分别高达22和9 MB/s
  • 使用MMC模式的SLC持续读写分别高达42和25 MB/s
  • 使用MMC模式的MLC持续读写分别高达42和9 MB/s
  • 闪存的数据传输速率每一途径高达40MB/s

主机接口&兼容

  • 完全符合SD 1.01, 1.10和2.0 (SDHC)规格
  • 完全符合MMC 3.31, 4.1和4.2规格
  • 额外一般用途UART和选择性ISO 7816-3接口

控制器&微处理器

  • 32位高性能海派世通RISC微处理器
  • 使用可调整的内部振荡电路来达成10到60 兆赫的时钟频率
  • 16 KB的内部系统启动只读存储器(Boot ROM)
  • 20 KB的内部随机存取内存(RAM)
  • 少于25 mA的记忆卡操作电流
  • 等待时自动进入休眠模式,省电模式包含自动开机以及Icc < 120 µA的睡眠模式
  • 供应双电压1.8伏以及3.3伏
  • 片上电压装置产生1.8伏以及电流控制器的3.0伏闪存供电
  • 片上电压装置产生1.8伏处理器内核供应
  • 内部电压检验器
  • 优化晶粒尺寸、形状和焊垫布局设计,以利客户多晶粒堆栈封装应用
闪存接口 & 处理

  • 双途径直接闪存访问 (DFA)
  • 支持所有NAND 型闪存链接的控制信号
  • 支持高达 4个闪存芯片启动的直接连接(CE)-每个途径各 2 个
  • 2 倍的 4 KB 大页面缓冲区,4 KB 页面大小的SLC 和 MLC 闪存芯片的每个途径都有理想的性能
  • 闪存断电逻辑操作和闪存写保护操纵装置
  • 错误更正码 (ECC) 可以纠正在512 字节扇区中附加CRC的 4 个符号
  • 通过固件升级支持所有当前和未来卖方的闪存和技术 (NAND,AG-AND, MLC/SLC,NROM,...)
  • 闪存中的固件存储
  • 固件是由内部系统启动只读存储器(Boot ROM)加载到内部存储器
  • 闪存管理包括逻辑区地址(LBA)到相对应物理区地址 (PBA) 的映像
  • 坏区管理
  • 耗损平均技术
  • 功率损失防护
  • 交错、 缓存和多平面规划

购买信息

  • S6-LAK05 (LGA 54, 7.5 x 4.0 x 0.7mm, RoHS, -25 to +85 °C)
  • S6-0ABD0 (Tested Die / Wafer

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