S6快閃記憶體控制器

可靠的NAND快閃記憶體控制器用於工業存儲解決方案

S6

SD以及MMC 快閃記憶體控制器

海派世通的S6記憶卡控制IC及其具備的韌體與應用程式,為適用MMC4.2及SD 2.0介面的高可靠性與處理能力的記憶卡解決方式,提供了一個易於使用及一應俱全的解決方式及平臺。

  • 取得專利的平均損耗演算法(wear-leveling)技術與ECC技術,確保高可靠性與耐用度
  • 最佳化32 Bit RISC 核心,指令集和韌體,適用於快閃記憶體處理技術
  • 擁有DFA(Dual channel Direct Flash Access unit)技術,包含交錯處理模式的暫存區
  • 廣大的暫存區,得以擁有最高的MLC處理效率
  • 最低功耗設計,兼具節能功能
  • 只需透過簡單的韌體更新,不必更換硬體,即可擁有智慧型與客制功能
  • 附加的UART可連結如安全控制器(security controller)等外接裝置
  • 不再需要外接穩壓器,檢測器或者二極體的專用標準產品
  • 特殊電源損失防護包含透過優化固件處理的MLC flash
  • 包括固件,生產元件,測試,開發硬體,及SD或MMC卡的參考圖在內的一體化方案

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Product Information

目標應用

  • SecureDigitialTM - 工業及消費者應用的SD卡
  • 消費者的microSD卡和移動式應用
  • MultiMediaCardsTM (MMC)
  • eMMC嵌入式快閃記憶體
  • 多晶片封裝(MCP)
  • 智慧卡

產品性能

  • 4KB頁面大小的SLC以及MLC 快閃記憶體晶片的兩倍4KB大頁面緩衝器,每一途徑達到最佳效能
  • 使用SD模式的SLC持續讀寫分別高達24和23 MB/s
  • 使用SD模式的MLC持續讀寫分別高達22和9 MB/s
  • 使用MMC模式的SLC持續讀寫分別高達42和25 MB/s
  • 使用MMC模式的MLC持續讀寫分別高達42和9 MB/s
  • 快閃記憶體的資料傳輸速率每一途徑高達40MB/s

主機介面&相容

  • 完全符合SD 1.01, 1.10和2.0 (SDHC)規格
  • 完全符合MMC 3.31, 4.1和4.2規格
  • 額外一般用途UART和選擇性ISO 7816-3介面

控制器&微處理器

  • 32位元高性能海派世通RISC微處理器
  • 使用可調整的內部振盪電路來達成10到60 百萬赫茲的時鐘頻率
  • 16 KB的內部系統啟動唯讀記憶體(Boot ROM)
  • 20 KB的內部隨機存取記憶體(RAM)
  • 少於25 mA的記憶卡操作電流
  • 等待時自動進入休眠模式,省電模式包含自動開機以及Icc < 120 µA的睡眠模式
  • 供應雙電壓1.8伏以及3.3伏
  • 片上電壓裝置產生1.8伏以及電流控制器的3.0伏快閃記憶體供電
  • 片上電壓裝置產生1.8伏處理器內核供應
  • 內部電壓檢驗器
  • 最佳化晶粒尺寸、形狀和焊墊佈局設計,以利客戶多晶粒堆疊封裝應用

快閃記憶體介面 & 處理

  • 雙途徑直接快閃記憶體訪問 (DFA)
  • 支援所有NAND 型快閃記憶體連結的控制信號
  • 支援高達 4個快閃記憶體晶片啟動的直接連接(CE)-每個途徑各 2 個
  • 2 倍的 4 KB 大頁面緩衝區,4 KB 頁面大小的SLC 和 MLC 快閃記憶體晶片的每個途徑都有理想的性能
  • 快閃記憶體斷電邏輯操作和快閃記憶體防寫操縱裝置
  • 錯誤更正碼 (ECC) 可以糾正在512 位元組磁區中附加CRC的 4 個符號
  • 通過固件升級支持所有當前和未來賣方的快閃記憶體和技術 (NAND,AG-AND, MLC/SLC,NROM,...)
  • 快閃記憶體中的固件存儲
  • 固件是由內部系統啟動唯讀記憶體(Boot ROM)載入到內部記憶體
  • 快閃記憶體管理包括邏輯區位址(LBA)到相對應物理區位址 (PBA) 的映射
  • 壞區管理
  • 耗損平均技術
  • 功率損失防護
  • 交錯、 緩存和多平面規劃
訂購資訊

  • S6-LAK05 (LGA 54, 7.5 x 4.0 x 0.7mm, RoHS, -25 to +85 °C)
  • S6-0ABD0 (Tested Die / Wafer

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