海派世通 F3 闪存控制器

F3 - 记忆卡控制IC

海派世通的F3记忆卡控制IC及所具备的韧体与应用程序,为各种外型和接口的闪存磁盘,提供易于使用及一应俱全的解决方式及平台。

  • 取得专利的平均损耗算法(wear-leveling)技术与ECC技术,确保高可靠性与耐用度
  • 优化32 Bit RISC 核心,指令集和韧体,适用于闪存处理技术
  • 拥有DFA(Dual channel Direct Flash Access unit)技术,包含交错处理模式的暂存区
  • 高效能动力设计连同附加的省电功能
  • 只需透过简单的韧体更新,不必更换硬件,即可达成各种客制要求,包含节能,智能型及其它功能
  • ASSP不再需要外接稳压器,检测器或者二极管,只需外加少量的电容或电阻
  • 统包解决方案包括韧体、治具、测试和研发硬件、CF 卡或2.5”固态磁盘的参考电路及Testmetrix log文件
海派世通 F3 闪存控制器

主要应用

  • 高可靠性及工业 CF 储存卡 (CFC)
  • 固体状态磁盘 (SSD)
  • IDE 板上模块 (DoM)
  • 嵌入式闪存
  • 多芯片模块 (MCM)
  • 多芯片封装 (MCP)
  • PCMCIA or ATA PC 记忆卡
  • 板上电子盘

购买信息

  • F3-ILCT05 (TQFP 100, 8 CEs, RoHS, -40 to +85 °C)
  • F3-LCT05 (TQFP 100, 8 CEs, RoHS, 0 to +85 °C)
  • F3-ILCT06 (TQFP 128, 16 CEs, RoHS, -40 to +85 °C)
  • F3-ILCB06 (BGA 124, 16 CEs, RoHS, -40 to +85 °C)
  • F3-0BBD0 (KGD / Wafer, 16 CEs)
 

产品性能

  • 高达 45 MB/s 持续读取
  • 高达 30 MB/s 可交叉存取持续写入
  • 高达 35MB/s 随机读取
  • 高达 6 MB/s 的随机写入
  • 指定的档案大小自定义优化
  • 闪存的数据传输率高达80 MB/s
  • PIO模式6或MDMA模式4的主机数据传输率高达25 MB/s
  • UDMA模式4的主机数据传输率高达66 MB/s

控制器&微处理器

  • 高性能 32 位 海派世通 RISC 微处理器
  • 使用可调节内部振荡器10 到 70 MHz 时钟频率
  • 16 KB的内部系统启动只读存储器(Boot ROM)
  • 20 KB的内部随机存取内存(SRAM)
  • 记忆卡操作电流 达75 mA 最大值
  • 等待期间自动电源关闭,包含Icc < 100 µA的自动唤醒和睡眠节能模式
  • 供电压5.0伏 ± 10 % or 3.3伏 ± 10%
  • 3.3伏闪存电能供给的片上电压调节器
  • 2.5伏信息处理机核心动力供给的片上电压调节器
  • 内部电压探测器
 

主机接口与兼容

  • 完全符合CompactFlashTM 3.0以及4.1规格
  • 快速 ATA 主机到缓冲区传输速率支援 True IDE 模式的 PIO 模式 6、 MDMA 模式 4、 UDMA 模式 4
  • PCMCIA 规格版本 2.1
  • 可移动、 热插入,和固定磁盘驱动器配置
  • 内存映射或输入输出操作
  • PCMCIA 或 True IDE 模式的自动感应
  • 四个整合性512字节扇面缓冲存储器和 256字节PCMCIA 属性内存
  • PCMCIA 配置选取自动登录器、 卡片配置和状态自动登录器以及管脚更换自动登录器支援

闪存接口与处理

  • 双途径闪存直接内存存取 (DFA)
  • 支援NAND型闪存内存链接的所有控制信号
  • 支援高达16个 闪存芯片启动(CE)的直接链接- 每途径各8个
  • 闪存电源关闭逻辑和闪存写保护控制
  • 错误更正码 (ECC) 在附加 CRC 的512 字节扇区具备更正4个符号能力
  • 固件储存于闪存
  • 固件由只读存储器启动程序加载到内部存储器
  • 闪存管理包括逻辑块地址 (LBA) 的映射到对应的物理块地址 (PBA)
  • 平均损耗算法(wear-leveling)技术
  • 电能不足防护
  • 交错、 缓存和多平面程序等许多设计