F9 NAND闪存控制器

可靠的NAND闪存控制器用于工业嵌入式存储解决方案

F9 | NAND 闪存控制器

3D闪存支持高耐久性CF卡或内存模块,与CompactFlash™、IDE或PATA接口的主机系统兼容。

海派世通的闪存控制器F9系列携其针对应用和闪存的特定固件为工业,高耐久度的CompactFlash卡或与CompactFlash™,IDE或PATA接口的主机系统兼容的内存模块提供易于使用的一体化方案平台。

  • 旨在充分满足工业可靠性、 耐力和功能要求
  • 包括高级的写入平衡技术,数据读取抗干扰管理和掉电管理在内的hyReliability™闪存管理固件确保最高等级的稳定性和耐久度
  • hyMap® 闪存转换层(FTL)提供在大量随机存取使用模式下最佳的随机写入性能、 最低的写入放大因子,从而实现最高等级的耐久度
  • 灵活的96-Bit/1K BCH纠错编码机制来实现对各种闪存的支持需要
  • 包含闪存管理指令集的优化的32位RISC核
  • 支持持续更新的闪存芯片和可长期获得的闪存芯片
  • 实时高性能的AES 128和256加密机制
  • 通过固件升级提供客户个性化的产品特征
  • 包括固件,生产组件,测试和开发硬件,参考设计在内的一体化方案
  • 16个通用输入输出管脚支持基于SPI,I2C和ISO7816界面或附加闪存芯片使能的客制化应用
  • 提供应用程序开发接口 (API) 和软件开发组件 (SDK) 供客户开发自有的固件拓展(CFE)

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Hyperstone F9 NAND Flash Memory Controller

产品信息

Target Application

  • 高可靠性及工业Compact FlashTM卡(CFC)
  • IDE板上模块(DoM)
  • 多芯片封装(MCP)
  • PCMCIA or ATA PC卡
  • 嵌入式闪存板上电子盘

Performance

  • 与CompactFlash™ 4.1, 5.0完全符合并与6.1规格兼容
  • 连续读取速度可达120 MB/s
  • 连续写入速度可达120 MB/s
  • 支持安全擦除以及销毁 自我监控分析报告(S.M.A.R.T.) 以及健康监测
  • -40 到 +85 °C 工业级型号

Host Interface & Compliance

  • 与PC 卡 8.0 (PC-Card ATA),CF 6.1 标准兼容
  • 与True IDE 模式下ATA 7 标准兼容
  • 快速 ATA 主机到缓存的传输速率达到 True IDE 模式下的 PIO 模式 6、 MDMA 模式 4、 UDMA 模式6
    耐5V 电压主机接口 I/O
  • 兼容PCMCIA 规格2.1版本
  • 自动感应PC-Card或 True IDE 主机接口模式
  • 可配置为可移动和固定磁盘驱动器
  • 支持自我监控分析报告(S.M.A.R.T.),安全擦除和销毁
  • 可设定提前通知功能以避免断电时的任何数据遗失

Controller & CPU

  • 32位高性能海派世通RISC微处理器
  • 内部大容量RAM使固件更具灵活性
  • 多路复用GPIO选项,对于Die和F9-RAB07分别包含多达16个和12个GPIO - SPI、I2C,8 x CE或ISO7816
  • 接口逻辑作为温度传感器连接NTC 热敏电阻器
  • 为安全应用提供唯一的身份识别
  • 以CBC和XTS模式支持AES-128和AES-256,实时高性能的加解密机制
  • 硬件随机数发生器
  • 通过内部的晶振和锁相环产生灵活的时钟频率
  • 主机数据等待阶段或闪存操作结束后自动进入休眠模式,
  • 主机非忙碌阶段自动进入睡眠模式 片上开关电压装置产生1.2伏控制器内核电源
  • 供给电压 3.3 v± 5%
  • 应用程序开发接口 (API) 和软件开发组件(SDK)

Flash Memory & Interface Handling

  • 直接闪存存取 (DFA) 协处理器包括页面缓存和交叉存取功能
  • 符合Toggle DDR 和 ONFI 2.3的DDR 界面,与所有 DDR 闪存设备兼容
  • 符合异步SDR接口和ONFI 1.0 ,与所有旧接口闪存兼容
  • 双通道实现到闪存的数据传输速率可达每个每秒200 MB
  • 灵活的96-Bit /1K BCH ECC 引擎支持所有闪存
  • 额外提升可靠性的CRC
  • 可直接连接最多 8 个闪存芯片使能  (CE),以及通过 GPIO连接额外的 8 CE多路复用
  • 闪存的电源关闭逻辑和写保护控制
  • 支持包括 3D 和 pSLC 模式的所有闪存技术
  • 片上电压调节器提供 1.8 v 闪存输入输出电源

Flash Memory Management

  • hyReliability™ 闪存管理固件优化可靠性,掉电保护,耐久度, 数据保留和性能
  • hyMap®闪存转换层(FTL)提供在大量随机存取使用模式下最佳的随机写入性能、 最低的写入放大因子,从而实现最高等级的耐久度
  • 快速启动时间优化
  • 闪存坏块管理
  • 静态,动态和全局写入平衡技术实现系统写入耐久度的最大化
  • 智能垃圾回收
  • 读干扰管理和动态数据刷新技术实现数据保留的最大化
  • 突发掉电管理
  • 交叉存取、 缓存和多平面编写
  • 存储备份固件以备复原和更新所需
  • 无用户数据丢失的现场固件更新
  • 安全擦除,快速擦除和安全TRIM
  • 健康监测与自我监控分析报告(S.M.A.R.T.)
  • 根据需求进行客制化固件,优化和功能实现 

Block Diagram
Hyperstone F9 Block Diagram
Order Information

  • F9-ILAT06 --- TQFP-128, 14x14x1.0mm, 8 CEs, RoHS, -40 to +85 °C
  • F9-RAB07 --- TFBGA-144, 10.4x10.4x1.1mm, 16 CEs, 7816 UART, API, RoHS, -40 to +85 °C
  • F9-RAB06 --- TFBGA-124, 9 x 9 x 1.2 mm, 8 CEs, RoHS, -40 to +85 °C
  • F9-0ABD0 --- Tested Die / Wafer

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