S6闪存控制器
SD以及MMC 闪存控制器海派世通的S6记忆卡控制IC及其具备的韧体与应用程序，为适用MMC4.2及SD 2.0界面的高可靠性与处理能力的记忆卡解决方式，提供了一个易于使用及一应俱全的解决方式及平台。
- 取得专利的平均损耗算法(wear-leveling)技术与ECC技术，确保高可靠性与耐用度
- 最佳化32 Bit RISC 核心，指令集和韧体，适用于闪存处理技术
- 拥有DFA(Dual channel Direct Flash Access unit)技术，包含交错处理模式的暂存区
- 广大的暂存区，得以拥有最高的MLC处理效率
- 最低功耗设计，兼具节能功能
- 只需透过简单的韧体更新，不必更换硬件，即可拥有智能型与客制功能
- 附加的UART可连结如安全控制器(security controller)等外接装置
- 不再需要外接稳压器，检测器或者二极管的专用标准产品
- 特殊电源损失防护包含透过优化固件处理的MLC flash
- 包括固件，生产组件，测试，开发硬件，及SD或MMC卡的参考图在内的一体化方案
Product Information
目标应用
- SecureDigitialTM - 工业及消费者应用的SD卡
- 消费者的microSD卡和移动式应用
- MultiMediaCardsTM (MMC)
- eMMC嵌入式闪存
- 多芯片封装(MCP)
- 智能卡
产品性能
- 4KB页面大小的SLC以及MLC 闪存芯片的两倍4KB大页面缓冲器，每一途径达到最佳效能
- 使用SD模式的SLC持续读写分别高达24和23 MB/s
- 使用SD模式的MLC持续读写分别高达22和9 MB/s
- 使用MMC模式的SLC持续读写分别高达42和25 MB/s
- 使用MMC模式的MLC持续读写分别高达42和9 MB/s
- 闪存的数据传输速率每一途径高达40MB/s
主机接口&兼容
- 完全符合SD 1.01, 1.10和2.0 (SDHC)规格
- 完全符合MMC 3.31, 4.1和4.2规格
- 额外一般用途UART和选择性ISO 7816-3接口
控制器&微处理器
- 32位高性能海派世通RISC微处理器
- 使用可调整的内部振荡电路来达成10到60 兆赫的时钟频率
- 16 KB的内部系统启动只读存储器(Boot ROM)
- 20 KB的内部随机存取内存(RAM)
- 少于25 mA的记忆卡操作电流
- 等待时自动进入休眠模式，省电模式包含自动开机以及Icc < 120 µA的睡眠模式
- 供应双电压1.8伏以及3.3伏
- 片上电压装置产生1.8伏以及电流控制器的3.0伏闪存供电
- 片上电压装置产生1.8伏处理器内核供应
- 内部电压检验器
- 优化晶粒尺寸、形状和焊垫布局设计，以利客户多晶粒堆栈封装应用
闪存接口 & 处理
- 双途径直接闪存访问 (DFA)
- 支持所有NAND 型闪存链接的控制信号
- 支持高达 4个闪存芯片启动的直接连接（CE）-每个途径各 2 个
- 2 倍的 4 KB 大页面缓冲区，4 KB 页面大小的SLC 和 MLC 闪存芯片的每个途径都有理想的性能
- 闪存断电逻辑操作和闪存写保护操纵装置
- 错误更正码 (ECC) 可以纠正在512 字节扇区中附加CRC的 4 个符号
- 通过固件升级支持所有当前和未来卖方的闪存和技术 （NAND,AG-AND, MLC/SLC，NROM，...)
- 闪存中的固件存储
- 固件是由内部系统启动只读存储器(Boot ROM)加载到内部存储器
- 闪存管理包括逻辑区地址（LBA）到相对应物理区地址 (PBA) 的映像
- 坏区管理
- 耗损平均技术
- 功率损失防护
- 交错、 缓存和多平面规划
购买信息
- S6-LAK05 (LGA 54, 7.5 x 4.0 x 0.7mm, RoHS, -25 to +85 °C)
- S6-0ABD0 (Tested Die / Wafer