S8闪存控制器
SD以及eMMC 闪存控制器海派世通S8闪存控制器系列连同它所提供的应用和特定闪存固件为具有(e)SD和(e)MMC接口的主机系统提供了一种开发与其兼容的工业级，坚固耐久的闪存卡或闪存记忆模块的易用一体化平台。
- 满足工业级要求的设计
- 包括高级的均衡损秏，资料读取抗干扰管理和掉电管理在内的hyReliability™闪存管理确保最高等级的稳定性和耐久度
- 支持持续更新的闪存芯片和可长期获得的闪存芯片
- 灵活的纠错编码机制支持各种闪存的需求
- 实时高性能的AES加密机制
- 通过固件升级提供客户个性化的产品特征
- 16个通用输入输出管脚支持基于SDIO3.0, SPI，I2C和ISO7816接口的客制化应用
- 使用最少外围器件的专用标准产品
- 包括固件，生产组件，测试和开发硬件，参考图在内的一体化方案
S8 Product Information
目标应用
- SD卡
- microSD和智能microSD卡
- eMMC存储器
- 旧的MMC和SD卡
- 嵌入式闪存模块
- 多芯片封装
- 板上电子盘
产品性能
- 在SD 3.0 SDR 104和eMMC 4.4 DDR模式下主机传输速度最高可达104 MB/s
- 使用toggle或ONFI 2标准的单层单元闪存时连续读写速度最高可达90 MB/s
- 使用toggle或ONFI 2标准的多层单元闪存时连续读写速度最高分别可达60 MB/s和25 MB/s
- 使用单层单元闪存时4K随机写IOPS最高可达1500
- 所有SD速度等级均可达到
主机接口&兼容
- 完全符合SD 3.0(UHS-I), SD 2.0和eSD 2.1规格
- 支持CPRM和ASSD 2.0或Mc-EX
- 完全符合eMMC 4.4和MMC 4.2规格
- 支持eMMC 4.4规格中的高速和DDR模式，并后向兼容以前的规格
- 选择性支持eMMC 4.5规格中的断电通知，弃置和安全删除功能
- 支持SD 3.0规格中的DS, HS, SDR12, SDR25, SDR50, SDR104和DDR50模式
- 在SD 3.0 SDR104和eMMC 4.4 DDR模式下主机传输速度最高可达104 MB/s
- 硬件支持C2加密和解密功能(CPRM)
- 片上电压装置在SD3.0传输模式时产生1.8伏信号电压
闪存管理
- hyReliability™ 闪存管理对稳定性，掉电安全，耐久度，资料保存和性能进行了优化
- 完整的闪存转换层随机闪存数据访问包括逻辑块地址到物理块地址的映射
- 坏块管理
- 通过静态和全局的均衡损耗来实现闪存耐久度最大化
- 固有的动态即时垃圾回收
- 由读取干扰引起的数据保存和刷新数据方面的问题通过读取干扰管理和动态数据刷新来实现最优化
- 对突发掉电进行管理
- 交织，缓冲存储区和多平面写入
- 进行固件冗余存储确保数据恢复和刷新
- 无用户数据丢失的现场固件更新
- 根据要求可实现固件的客制化，优化和个性化
控制器&微处理器
- 32位高性能Hyperstone RISC微处理器
- 大容量内部RAM使固件更具灵活性
- 16个GPIO管脚提供给客户特别的应用，多重可选的接口包括：16 GPIO，SDIO3.0，SPI，I2C, 4x CE 和 ISO7816
- 为安全应用提供唯一的身份识别
- 高性能动态即时加密/解密支持128位和256为AES加密，ECB，CBC和XTS模式
- 通过内部的晶振和锁相环产生灵活的时钟频率
- 主机数据等待和闪存操作结束自动进入休眠模式，主机非忙碌阶段自动进入睡眠模式
- 片上电压装置产生1.2伏控制器内核的电源
闪存 & 界面管理
- 直接闪存访问(DFA)携处理器包含页缓冲器和交织功能
- 同步DDR接口符合Toggle DDR和ONFI 2.1规格并兼容所有DDR闪存
- 异步SDR接口符合ONFI1.0规格并兼容以前接口规格的闪存
- 数据传输至闪存的速度最高可达200 MB/s
- 灵活的ECC机制支持所有的闪存
- CRC提供附加的稳定性
- 可直接连接最多8个闪存芯片
- 闪存断电逻辑电路和写保护控制
- 支持所有闪存技术和最大16KB的闪存页
- 片上电压装置产生1.8伏闪存输入输出电源
Block Diagram
购买信息
- S8-LBK07 (LGA 52, 7.5 x 4.0 x 0.7mm, 4 CEs, RoHs, -40 to +85 °C)
- S8-0BBD0 (Tested Die / Wafer)
目标市场
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