S9S | 安全性SD NAND 閃存控制器

用于工业和可靠 NAND 闪存解决方案的 SD 卡控制器

SD控制器 | S9S - 安全性SD NAND 闪存控制器

適用於 SD 卡、DoB 和 eSD 存儲系統的可靠 SD & microSD NAND 閃存控制器

Hyperstone S9S - 安全性闪存控制器是专为需要更大灵活性和附加安全功能的工业应用所设计的安全控制器。连同装备的hyMap® 固件和允许客户固件扩展的API,S9S - Security 为工业、高耐用性、坚固耐用的闪存驱动器或模块提供了一个易于使用的统包解决方案,可兼容高达 SD 7.1接口的主机系统。 

  • 旨在完全满足工业要求
  • 内建先进的安全性功能 (McEx 1.1, ASSD 3.0, DPS 1.01)
  • 具有优化指令集的 32 位内核微处理器和用于闪存处理的附加硬件加速器
  • hyMap®基于子页面的客制化闪存转换层 (FTL) 可实现最佳的随机写入性能、最小的写入放大,因此无需外部 DRAM 即可实现最高的耐用性
  • FlashXE® eXtended Endurance读取通道针对每个闪存、先进ECC算法和软译码功能、读取重试、RAID 和数据恢复功能进行了调整和优化,以确保尽可能低的读取错误率和最大的耐用性
  • 持续更新的闪存支持
  • hyReliability™闪存管理,包括卓越的磨损均衡、读取干扰管理、动态数据刷新和电源故障管理,确保最高的可靠性和耐用性
  • 针对辐射和软错误的先进保护,包括SRAM ECC和低alpha封装
  • 先进的安全和加密功能
  • 通过固件API进行自定义固件扩展和功能开发
  • 统包解决方案,包括固件、制造套件、测试和开发硬件、参考原理图以及健康监测工具
Hyperstone S8 NAND Flash Memory Controller

S9S - Security Product Information

目标应用
  • 用于安全应用的SecureDigital (SD)卡
  • 用于安全应用的microSD和Smart microSD
  • 安全的板载应用程序
产品性能
  • 连续读取高达 90MB/s
  • 连续写入高达 90MB/s
  • 持续 4K 随机写入超过 7.5MB/s
主机接口&兼容
  • 符合SD物理层规范版本 3.01 至 7.1
  • 可支持CPRM和ASSD 3.0
  • 支持DS、HS、SDR12、SDR25、SDR50、SDR104 和 DDR50传输模式
  • SDR104 模式下主机传输速率高达104 MByte/s
  • 对C2加密和解密例程 (CPRM) 的硬件支持
  • SD 3.0 传输模式下用于 1.8V 信号电压的片上稳压器
闪存管理
  • hyReliability™闪存管理:卓越的磨损均衡、读取干扰管理和电源故障管理,以确保最高的可靠性和耐用性
  • hyMap®基于子页面的客制化闪存转换层 (FTL) 可实现最佳的随机写入性能、最小的写入放大,从而为强调随机存取的使用配置文件提供最高的耐用性(例如 JEDEC 企业工作负载)
  • 用于 SLC 缓存、过度配置、RAID 保护和性能调整的灵活预格式化设置,包括针对快速启动时间的优化
  • 先进的热管理功能可在扩展温度下最大限度地提高性能和数据保护
  • 静态、动态和全局磨损均衡
  • 坏块管理、智能垃圾收集和支持交错、缓存和多平面编程
  • 读干扰管理和动态数据刷新
  • 一流的电源故障管理
  • 固件冗余存储,用于恢复和刷新以及现场固件更新,而不会丢失用户数据
  • 安全擦除、快速擦除和安全修改
  • 通过固件 API 进行自定义固件扩展和功能开发,包括先进安全支持和智能卡芯片启动
  • 可依照要求自定义固件、优化和功能实现
控制器&微处理器
  • 基于Hyperstone架构的高性能微处理器内核
  • 通过内部振荡器和 PLL 发展灵活的时钟频率
  • 10个GPIO引脚为连接额外逻辑提供灵活性
  • 特殊GPIO传输模式包括 ISO7816、I2C 和 SPI 
  • AES-128和AES-256支持CBC和XTS模式
  • SHA-256 哈希引擎和硬件RNG
  • PKA 单元,支持椭圆曲线加密算法和RSA
  • 片上温度传感器
  • 在等待主机数据或闪存操作完成期间的自动断电模式,在主机不活动期间的自动睡眠模式
  • 电源电压断电检测可实现完全断电稳健性
  • 用于 1.1V 处理器内核电源的片上稳压器
闪存 & 界面管理
  • 支持传统异步、切换模式和 ONFI NAND
  • 支持ONFI SDR、NV-DDR、NV-DDR2 和 NV-DDR3 传输模式
  • 闪存的数据传输速率高达 400 MByte/s
  • 灵活内部存储器中的页面缓冲区可实现最佳闪存信道性能
  • 支持闪存连接的所有控制信号
  • 支持多达4个闪存片选
  • 支持高达 16 KB 的闪存页面大小
  • 固件支持持续更新所有可用技术,包括SLC、pSLC、MLC、pMLC和3D TLC 以及下一代 NAND 闪存
  • FlashXE® eXtended Endurance读取通道针对每个闪存、具有软信息解碼、读取重试、RAID和数据恢复功能的先进ECC算法进行了优化,以确保尽可能低的读取错误率和最大的耐用性
  • 闪存断电逻辑和闪存写入保护控制
  • 闪存中的固件存储,由boot ROM加载到内部存储器
  • 用于 1.2V/1.8V闪存I/O 电源的片上稳压器
Block Diagram
Hyperstone S9s Block Diagram
购买信息
  • S9-LASK08 - (LGA 64, 7.5 x 4 x 0.7mm, 4CEs, RoHs, -40 to +85 °C) 

如需芯片/晶圆和客制化microSD 卡,请联系sales team.

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