海派世通 F4 快閃記憶體控制器

F4 - 記憶卡控制IC

Hyperstone 的F4記憶卡控制IC及所具備的韌體與應用程式,為各種外型和介面的flash磁片,提供易於使用及一應俱全的解決方式及平臺。 

  • 取得專利的平均損耗演算法(wear-leveling)技術與ECC技術,確保高可靠性與耐用度
  • 最佳化32 Bit RISC 核心,指令集和韌體,適用於快閃記憶體處理技術
  • 雙通道控制器提供最佳的性能
  • 最有效的功率利用率同時兼顧節能的設計
  • 只需透過簡單的韌體更新,不必更換硬體,即可達成各種客制要求,包含節能,智慧型及其它功能
  • ASSP不再需要外接裝置
  • 特殊斷電穩定設計
  • Turnkey solution包括韌體、治具、測試和研發硬體、CF 卡或2.5”固態磁片的參考電路及Testmetrix log檔
F4 - 記憶卡控制IC

主要應用

  • 高可靠性及工業 CF 儲存卡 (CFC)
  • 固體狀態磁片 (SSD)
  • IDE 板上模組 (DoM)
  • 嵌入式快閃記憶體
  • 多晶片模組 (MCM)
  • 多晶片封裝 (MCP)
  • PCMCIA or ATA PC 記憶卡
  • 板上電子盤

訂購資訊

  • F4-LAT05 (TQFP 100, 8 CEs, RoHS, 0 to +85 °C)
  • F4-ILAT05 (TQFP 100, 8 CEs, RoHS, -40 to +85 °C)
  • F4-LAT06 (TQFP 128, 16 CEs, RoHS, 0 to +85 °C)
  • F4-ILAT06 (TQFP 128, 16 CEs, RoHS, -40 to +85 °C)
  • F4-0ABD0 (KGD / Wafer, 16 CEs)
 

產品性能

  • 高達 50 MB/s 的持續讀取
  • 高達 40 MB/s 可交叉存取持續寫入
  • 高達 40 MB/s 的隨機讀取
  • 高達 9 MB/s 的隨機寫入
  • 指定的檔案大小自訂最佳化
  • 快閃記憶體的資料傳輸率高達80 MB/s
  • PIO模式6或MDMA模式4的主機資料傳輸率高達25 MB/s
  • UDMA模式4的主機資料傳輸率高達66 MB/s

控制器&微處理器

  • 高性能 32 位元海派世通RISC 微處理器
  • 使用可調節內部振盪器10 到 70 百萬赫茲的時鐘頻率
  • 大型內部隨機存取記憶體提供固件靈活性
  • 等待期間自動電源關閉,包含Icc < 250 µA的自動喚醒和睡眠節能模式
  • 供電壓5.0伏 ± 10 % or 3.3伏 ± 10%
  • 3.3伏快閃記憶體電能供給的片上電壓調節器
  • 2.5伏核心動力供給的片上電壓調節器
  • 內部電壓探測器
 

主機介面與相容

  • 完全符合CompactFlashTM 3.0以及4.1規格
  • 快速 ATA 主機到緩衝區傳輸速率支援 True IDE 模式的 PIO 模式 6、 MDMA 模式 4、 UDMA 模式 4
  • PCMCIA 規格版本 2.1
  • 可移動、 熱插拔,和固定磁碟機配置
  • 記憶體映射或輸出輸入操作
  • PCMCIA 或 True IDE 模式的自動感應
  • 四個整合性扇面緩衝記憶體和 PCMCIA 屬性記憶體
  • PCMCIA 配置選取自動登錄器、 記憶卡配置和狀態自動登錄器以及管腳更換自動登錄器支援

快閃記憶體介面與處理

  • 雙途徑包含兩個快閃記憶體直接記憶體存取 (DFA) 單位
  • 支援NAND型快閃記憶體記憶體連結的所有控制信號
  • 支援高達16個 快閃記憶體晶片啟動(CE)的直接連結- 每途徑各8個
  • 快閃記憶體電源關閉邏輯和快閃記憶體防寫控制
  • 錯誤更正碼 (ECC) 在附加 CRC 的512 位元組磁區具備更正4個符號能力
  • 固件存儲於快閃記憶體
  • 固件由唯讀記憶體啟動程式載入到內部記憶體
  • 快閃記憶體管理包括邏輯塊位址 (LBA) 的映射到對應的物理塊位址 (PBA)
  • 劣等區塊管理
  • 平均損耗演算法(wear-leveling)技術
  • 突發斷電管理
  • 交錯、 緩存和多平面程式等許多設計