F3 NAND快閃記憶體控制器

可靠的NAND快閃記憶體控制器用於工業嵌入式存儲解決方案

F3 | NAND快閃記憶體控制器

用於工業嵌入式存儲解決方案的CF/PATA NAND快閃記憶體控制器

海派世通的F3 NAND快閃記憶體控制器及所具備的韌體與應用程式,為各種外形尺寸和介面的快閃記憶體磁片,提供易於使用及一應俱全的解決方式及平臺。

  • 取得專利的平均損耗演算法(wear-leveling)技術與ECC技術,確保高可靠性與耐用度
  • 最佳化32 Bit RISC 核心,指令集和韌體,適用於快閃記憶體處理技術
  • 擁有DFA(Dual channel Direct Flash Access unit)技術,包含交錯處理模式的暫存區
  • 高效能動力設計連同附加的省電功能
  • 只需透過簡單的韌體更新,不必更換硬體,即可達成各種客制要求,包含節能,智慧型及其它功能
  • ASSP不再需要外接穩壓器,檢測器或者二極體,只需外加少量的電容或電阻
  • 統包解決方案包括韌體、治具、測試和研發硬體、CF 卡或2.5”固態磁片的參考電路及Testmetrix log檔

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Hyperstone F3 NAND Flash Memory Controller

產品資訊

主要應用

  • 高可靠性及工業 CF 儲存卡(CFC)
  • 固體狀態磁片 (SSD)
  • IDE 板上模組 (DoM)
  • 嵌入式快閃記憶體
  • 多晶片模組 (MCM)
  • 多晶片封裝 (MCP)
  • PCMCIA or ATA PC 記憶卡
  • 板上電子盤

產品性能

  • 高達 45 MB/s 持續讀取
  • 高達 30 MB/s 可交叉存取持續寫入
  • 高達 35MB/s 隨機讀取
  • 高達 6 MB/s 的隨機寫入
  • 指定的檔案大小自訂最佳化
  • 快閃記憶體的資料傳輸率高達80 MB/s
  • PIO模式6或MDMA模式4的主機資料傳輸率高達25 MB/s
  • UDMA模式4的主機資料傳輸率高達66 MB/s

主機介面與相容

  • 完全符合CompactFlashTM 3.0以及4.1規格
  • 快速 ATA 主機到緩衝區傳輸速率支援 True IDE 模式的 PIO 模式 6、 MDMA 模式 4、 UDMA 模式 4
  • PCMCIA 規格版本 2.1
  • 可移動、 熱插拔,和固定磁碟機配置
  • 記憶體映射或輸入輸出操作
  • PCMCIA 或 True IDE 模式的自動感應
  • 四個整合性512位元組扇面緩衝記憶體和 256位元組PCMCIA 屬性記憶體
  • PCMCIA 配置選取自動登錄器、 卡片配置和狀態自動登錄器以及管腳更換自動登錄器支援

Controller & CPU

  • 高性能 32 位元 海派世通 RISC 微處理器
  • 使用可調節內部振盪器10 到 70 MHz 時鐘頻率
  • 16 KB的內部系統啟動唯讀記憶體(Boot ROM)
  • 20 KB的內部隨機存取記憶體(SRAM)
  • 記憶卡操作電流 達75 mA 最大值
  • 等待期間自動電源關閉,包含Icc < 100 µA的自動喚醒和睡眠節能模式
  • 供電壓5.0伏 ± 10 % or 3.3伏 ± 10%
  • 3.3伏快閃記憶體電能供給的片上電壓調節器
  • 2.5伏信息處理機核心動力供給的片上電壓調節器
  • 內部電壓探測器

Flash Memory & Interface Handling

  • 雙途徑快閃記憶體直接記憶體存取 (DFA)
  • 支援NAND型快閃記憶體記憶體連結的所有控制信號
  • 支援高達16個 快閃記憶體晶片啟動(CE)的直接連結- 每途徑各8個
  • 快閃記憶體電源關閉邏輯和快閃記憶體防寫控制
  • 錯誤更正碼 (ECC) 在附加 CRC 的512 位元組磁區具備更正4個符號能力
  • 固件儲存於快閃記憶體
  • 固件由唯讀記憶體啟動程式載入到內部記憶體
  • 快閃記憶體管理包括邏輯塊位址 (LBA) 的映射到對應的物理塊位址 (PBA)
  • 平均損耗演算法(wear-leveling)技術
  • 電能不足防護
  • 交錯、 緩存和多平面程式等許多設計

Order Information

  • F3-ILCT05 (TQFP 100, 8 CEs, RoHS, -40 to +85 °C)
  • F3-LCT05 (TQFP 100, 8 CEs, RoHS, 0 to +85 °C)
  • F3-ILCT06 (TQFP 128, 16 CEs, RoHS, -40 to +85 °C)
  • F3-ILCB06 (BGA 124, 16 CEs, RoHS, -40 to +85 °C)
  • F3-0BBD0 (KGD / Wafer, 16 CEs)

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