S6快閃記憶體控制器

S6

SD以及MMC 快閃記憶體控制器

海派世通的S6記憶卡控制IC及其具備的韌體與應用程式,為適用MMC4.2及SD 2.0介面的高可靠性與處理能力的記憶卡解決方式,提供了一個易於使用及一應俱全的解決方式及平臺。

  • 取得專利的平均損耗演算法(wear-leveling)技術與ECC技術,確保高可靠性與耐用度
  • 最佳化32 Bit RISC 核心,指令集和韌體,適用於快閃記憶體處理技術
  • 擁有DFA(Dual channel Direct Flash Access unit)技術,包含交錯處理模式的暫存區
  • 廣大的暫存區,得以擁有最高的MLC處理效率
  • 最低功耗設計,兼具節能功能
  • 只需透過簡單的韌體更新,不必更換硬體,即可擁有智慧型與客制功能
  • 附加的UART可連結如安全控制器(security controller)等外接裝置
  • 不再需要外接穩壓器,檢測器或者二極體的專用標準產品
  • 特殊電源損失防護包含透過優化固件處理的MLC flash
  • 包括固件,生產元件,測試,開發硬體,及SD或MMC卡的參考圖在內的一體化方案

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Product Information

目標應用

  • SecureDigitialTM - 工業及消費者應用的SD卡
  • 消費者的microSD卡和移動式應用
  • MultiMediaCardsTM (MMC)
  • eMMC嵌入式快閃記憶體
  • 多晶片封裝(MCP)
  • 智慧卡

產品性能

  • 4KB頁面大小的SLC以及MLC 快閃記憶體晶片的兩倍4KB大頁面緩衝器,每一途徑達到最佳效能
  • 使用SD模式的SLC持續讀寫分別高達24和23 MB/s
  • 使用SD模式的MLC持續讀寫分別高達22和9 MB/s
  • 使用MMC模式的SLC持續讀寫分別高達42和25 MB/s
  • 使用MMC模式的MLC持續讀寫分別高達42和9 MB/s
  • 快閃記憶體的資料傳輸速率每一途徑高達40MB/s

主機介面&相容

  • 完全符合SD 1.01, 1.10和2.0 (SDHC)規格
  • 完全符合MMC 3.31, 4.1和4.2規格
  • 額外一般用途UART和選擇性ISO 7816-3介面

控制器&微處理器

  • 32位元高性能海派世通RISC微處理器
  • 使用可調整的內部振盪電路來達成10到60 百萬赫茲的時鐘頻率
  • 16 KB的內部系統啟動唯讀記憶體(Boot ROM)
  • 20 KB的內部隨機存取記憶體(RAM)
  • 少於25 mA的記憶卡操作電流
  • 等待時自動進入休眠模式,省電模式包含自動開機以及Icc < 120 µA的睡眠模式
  • 供應雙電壓1.8伏以及3.3伏
  • 片上電壓裝置產生1.8伏以及電流控制器的3.0伏快閃記憶體供電
  • 片上電壓裝置產生1.8伏處理器內核供應
  • 內部電壓檢驗器
  • 最佳化晶粒尺寸、形狀和焊墊佈局設計,以利客戶多晶粒堆疊封裝應用

快閃記憶體介面 & 處理

  • Dual channel direct flash memory access (DFA)
  • Supporting all control signal for NAND type flash memory connection
  • Supporting direct connection of up to 4 flash memory chip enables (CE) - 2 per channel
  • 2 times 4KB large page buffers per channel achieving optimal performance for SLC and MLC flash chips with 4KB page size
  • Flash memory power down logic and flash memory write protect control
  • Error Correcting Code (ECC) capable of correcting 4 symbols in a 512 Bytes sector with additional CRC
  • Supporting all current and future vendor flashes and technologies (NAND, AG-AND, MLC/SLC, NROM, ...) by firmware upgrades
  • Firmware storage in flash memory
  • Firmware is loaded into internal memory by the boot ROM
  • Flash management including mapping of logical block addresses (LBA) to corresponding physical block addresses (PBA)
  • Bad Block Management
  • Wear leveling
  • Power Loss Protection
  • Interleaving, cache, and multi-plane programming

訂購資訊

  • S6-LAK05 (LGA 54, 7.5 x 4.0 x 0.7mm, RoHS, -25 to +85 °C)
  • S6-0ABD0 (Tested Die / Wafer

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