S8快閃記憶體控制器

可靠的NAND快閃記憶體控制器用於工業存儲解決方案

S8快閃記憶體控制器

SD以及eMMC 快閃記憶體控制器

海派世通S8快閃記憶體控制器系列連同它所提供的應用和特定快閃記憶體固件為具有(e)SD和(e)MMC介面的主機系統提供了一種開發與其相容的工業級,堅固耐久的快閃記憶體卡或快閃記憶體記憶模組的易用一體化平臺。

  • 滿足工業級要求的設計
  • 包括高級的均衡損秏,資料讀取抗干擾管理和掉電管理在內的hyReliability™快閃記憶體管理確保最高等級的穩定性和耐久度
  • 支援持續更新的快閃記憶體晶片和可長期獲得的快閃記憶體晶片
  • 靈活的糾錯編碼機制支援各種快閃記憶體的需求
  • 即時高性能的AES加密機制 
  • 通過固件升級提供客戶個性化的產品特徵
  • 16個通用輸入輸出管腳支援基於SDIO3.0, SPI,I2C和ISO7816介面的客制化應用
  • 使用最少週邊器件的專用標準產品
  • 包括固件,生產元件,測試和開發硬體,參考圖在內的一體化方案

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Hyperstone S8 NAND Flash Memory Controller

S8 Product Information

目標應用程式

  • SD卡
  • microSD和智慧microSD卡
  • eMMC記憶體
  • 舊的MMC和SD卡
  • 嵌入式快閃記憶體模組
  • 多晶片封裝
  • 板上電子盤
產品性能

  • 在SD 3.0 SDR 104和eMMC 4.4 DDR模式下主機傳送速率最高可達104 MB/s
  • 使用toggle或ONFI 2標準的單層單元快閃記憶體時連續讀寫速度最高可達90 MB/s
  • 使用toggle或ONFI 2標準的多層單元快閃記憶體時連續讀寫速度最高分別可達60 MB/s和25 MB/s
  • 使用單層單元快閃記憶體時4K隨機寫IOPS最高可達1500
  • 所有SD速度等級均可達到

主機介面&相容

  • 完全符合SD 3.0(UHS-I), SD 2.0和eSD 2.1規格
  • 支持CPRM和ASSD 2.0或Mc-EX
  • 完全符合eMMC 4.4和MMC 4.2規格
  • 支援eMMC 4.4規格中的高速和DDR模式,並與舊版相容以前的規格
  • 選擇性支援eMMC 4.5規格中的斷電通知,棄置和安全刪除功能
  • 支援SD 3.0規格中的DS, HS, SDR12, SDR25, SDR50, SDR104和DDR50模式
  • 在SD 3.0 SDR104和eMMC 4.4 DDR模式下主機傳送速率最高可達104 MB/s
  • 硬體支援C2加密和解密功能(CPRM)
  • 片上電壓裝置在SD3.0傳輸模式時產生1.8伏訊號電壓

快閃記憶體管理

  • hyReliability™ 快閃記憶體管理對穩定性,斷電安全,耐久度,資料保存和性能進行了優化
  • 完整的快閃記憶體轉換層隨機快閃記憶體資料訪問包括邏輯塊位址到物理塊位址的映射
  • 壞塊管理
  • 通過靜態和全域的均衡損耗來實現快閃記憶體耐久度最大化
  • 固有的動態即時垃圾回收
  • 由讀取干擾引起的資料保存和刷新資料方面的問題通過讀取干擾管理和動態資料刷新來實現最優化
  • 對突發斷電進行管理
  • 交織,緩衝存放區和多平面寫入
  • 進行固件冗餘存儲確保資料恢復和刷新
  • 無使用者資料丟失的現場固件更新
  • 根據要求可實現固件的客制化,最優化和個性化

控制器&微處理器

  • 32位元高性能Hyperstone RISC微處理器
  • 大容量內部RAM使固件更具靈活性
  • 16個GPIO管腳提供給客戶特別的應用,多重可選的介面包括:16 GPIO,SDIO3.0,SPI,I2C, 4x CE 和 ISO7816 
  • 為安全應用提供唯一的身份識別
  • 高性能動態即時加密/解密支援128位和256為AES加密,ECB,CBC和XTS模式
  • 通過內部的晶振和鎖相環產生靈活的時鐘頻率
  • 主機資料等待和快閃記憶體操作結束自動進入休眠模式,主機非忙碌階段自動進入睡眠模式
  • 片上電壓裝置產生1.2伏控制器內核的電源

快閃記憶體 & 介面管理

  • 直接快閃記憶體訪問(DFA)攜處理器包含頁緩衝器和交織功能
  • 同步DDR介面符合Toggle DDR和ONFI 2.1規格並相容所有DDR快閃記憶體
  • 非同步SDR介面符合ONFI1.0規格並相容以前介面規格的快閃記憶體
  • 資料傳輸至快閃記憶體的速度最高可達200 MB/s
  • 靈活的ECC機制支持所有的快閃記憶體
  • CRC提供附加的穩定性
  • 可直接連接最多8個快閃記憶體晶片
  • 快閃記憶體斷電邏輯電路和防寫控制
  • 支援所有快閃記憶體技術和最大16KB的快閃記憶體頁
  • 片上電壓裝置產生1.8伏快閃記憶體輸入輸出電源

Block Diagram
Hyperstone S8 Block Diagram
購買資訊

  • S8-LBK07 (LGA 52, 7.5 x 4.0 x 0.7mm, 4 CEs, RoHs, -40 to +85 °C)
  • S8-0BBD0 (Tested Die / Wafer)

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