F9 | NAND 快閃記憶體控制器
3D快閃記憶體支援高耐久性CF卡或記憶體模組，與CompactFlash™、IDE或PATA介面的主機系統相容。海派世通的快閃記憶體控制器F9系列攜其針對應用和快閃記憶體的特定固件為工業，高耐久度的CompactFlash卡或與CompactFlash™，IDE或PATA介面的主機系统兼容的快閃記憶體模組提供易於使用的一體化方案平台。
- 旨在充分满足工業可靠性、 耐力和功能要求
- 包括高級的寫入平衡技術，數據讀取抗干擾管理和斷管理在内的hyReliability™快閃記憶體管理固件確保最高等級的穩定性和耐久度
- hyMap® 快閃記憶體轉換層(FTL)提供在大量隨機存取使用模式下最佳的隨機寫入性能、 最低的寫入放大因子，從而實現最高等級的耐久度
- 靈活的96-Bit/1K BCH糾錯編碼機制來實現對各種快閃記憶體的支援需要
- 包含快閃記憶體管理指令集的優化的32位RISC核
- 支援持續更新的快閃記憶體芯片和可長期獲得的快閃記憶體芯片
- 實時高性能的AES 128和256加密機制
- 通過固件升級提供客户個性化的產品特徵
- 包括固件，生產組件，測試和開發硬體，参考設計在内的一體化方案
- 16個通用輸入輸出管腳支持基于SPI，I2C和ISO7816界面或附加快閃記憶體芯片使能的客制化應用
- 提供應用程序開發界面 (API) 和軟體開發組件(SDK) 供客户開發自有的固件拓展(CFE)
產品資訊
Target Application
- 高可靠性及工業Compact FlashTM卡(CFC)
- IDE板上模組(DoM)
- Multi多晶片封裝(MCM)
- PCMCIA or ATA PC卡
- 嵌入式快閃記憶體板上電子盤
Performance
- 與CompactFlash™ 4.1, 5.0完全符合並與6.1規格兼容
- 連續讀取速度可達120MB/s
- 連續寫入速度可達120 MB/s
- 支援安全擦除以及銷毀 自我監控分析報告（S.M.A.R.T.） 以及健康監測
- -40 到 +85 °C 工業級型號
Host Interface & Compliance
- 與PC 卡 8.0 (PC-Card ATA)，CF 6.1 標準兼容
- 與True IDE 模式下ATA 7標準兼容
- 快速 ATA 主機到緩存的傳輸速率達到 True IDE 模式下的 PIO 模式 6、 MDMA 模式 4、 UDMA 模式6
耐5V 電壓主機接口 I/O - 兼容PCMCIA 規格2.1版本
- 自動感應PC-Card或 True IDE 主機接口模式
- 可配置為可移動和固定磁碟驅動器
- 支援自我監控分析报告（S.M.A.R.T.）,安全擦除和銷毀
- 可設定提前通知功能以避免斷電時的任何數據遺失
Controller & CPU
- 32位高性能海派世通RISC微處理器
- 内部大容量RAM使固件更具靈活性
- 多路復用GPIO選項，對於Die和F9-RAB07分别包含多達16个和12个GPIO - SPI、I2C，8 x CE或ISO7816
- 接口邏輯作為温度傳感器連接NTC 熱敏電阻器
- 為安全應用提供唯一的身份識别
- 以CBC和XTS模式支援AES-128和AES-256，實時高性能的加解密機制
- 硬件隨機數發生器
- 通過内部的晶振和鎖相環產生靈活的時鐘頻率
- 主機數據等待階段或快閃記憶體操作結束後自動進入休眠模式，主機非忙碌階段自動進入睡眠模式
- 片上開關電壓裝置產生1.2伏控制器内核電源
- 供给電壓 3.3 v± 5%
- 應用程序開發接口 (API) 和軟體開發組件(SDK)
Flash Memory & Interface Handling
- 直接快閃記憶體存取 (DFA) 協處理器包括頁面緩存和交叉存取功能
- 符合Toggle DDR 和 ONFI 2.3的DDR 界面，與所有 DDR快閃記憶體設備兼容
- 符合異步SDR接口和ONFI 1.0，與所有舊接口快閃記憶體兼容
- 雙通道實現到快閃記憶體的數據傳输速率可達每個每秒200 MB
- 靈活的96-Bit /1K BCH ECC 引擎支援所有快閃記憶體
- 額外提升可靠性的CRC
- 可直接連接最多 8個快閃記憶體芯片使能(CE)，以及通過GPIO連接額外的 8 CE多路復用
- 快閃記憶體的電源關閉邏輯和寫保護控制
- 支援包括 3D 和 pSLC 模式的所有快閃記憶體技術
- 片上電壓調節器提供 1.8 v快閃記憶體輸入輸出電源
Flash Memory Management
- hyReliability™快閃記憶體管理固件優化可靠性，斷電保護，耐久度， 數據保留和性能
- hyMap®快閃記憶體轉換層(FTL)提供在大量隨機存取使用模式下最佳的隨機寫入性能、 最低的寫入放大因子，從而實現最高等級的耐久度
- 快速啟動時間優化
- 快閃記憶體壞塊管理
- 靜態，動態和全局寫入平衡技術實現系統寫入耐久度的最大化
- 智能垃圾回收
- 讀取干擾管理和動態數據刷新技術實現數據保留的最大化
- 突發斷電管理
- 交叉存取、 緩存和多平面編寫
- 存儲備份固件以備復原和更新所需
- 無用户數據丢失的現場固件更新
- 安全擦除，快速擦除和安全TRIM
- 健康監測與自我監控分析報告(S.M.A.R.T.)
- 根據需求進行客制化固件，優化和功能實現
Block Diagram
Order Information
- F9-ILAT06 (TQFP-128, 14x14x1.0mm, 8 CEs, RoHS, -40 to +85 °C)
- F9-RAB07 (TFBGA-144, 10.4x10.4x1.1mm, 16 CEs, 7816 UART, API, RoHS, -40 to +85 °C)
- F9-RAB06 (TFBGA-124, 9 x 9 x 1.2 mm, 8 CEs, RoHS, -40 to +85 °C)
- F9-0ABD0 (Tested Die / Wafer)
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