S9S | 安全性SD NAND 閃存控制器

用於工業和可靠 NAND 閃存解決方案的 SD 卡控制器

SD控制器 | S9S - 安全性SD NAND 快閃記憶體控制器

適用於 SD 卡、DoB 和 eSD 存儲系統的可靠 SD & microSD NAND 閃存控制器

Hyperstone S9S - 安全性快閃記憶體控制器是專為需要更大靈活性和附加安全功能的工業應用所設計的安全控制器。連同hyMap® 韌體和允許客戶固件擴展的API,S9S - Security 為工業、高耐用性、堅固耐用的快閃記憶體卡或模組提供了一個易於使用的整體解決方案,可相容高達 SD 7.1界面的主機系統。 

  • 旨在完全滿足工業要求
  • 內建先進的安全性功能 (McEx 1.1, ASSD 3.0, DPS 1.01)
  • 具有優化指令集的 32 位內核微處理器和用於快閃記憶體處理的附加硬體加速器
  • hyMap®基於子頁面(sub-page)的客製化閃存轉換層 (FTL) 可實現最佳的隨機寫入性能、最小的寫入放大,因此無需外部 DRAM 即可實現最高的耐用性
  • FlashXE® eXtended Endurance讀取通道針對每個閃存、先進ECC算法和軟解碼功能、讀取重試、RAID 和數據恢復功能進行了調整和優化,以確保盡可能低的讀取錯誤率和最大的耐用性
  • 持續更新的快閃記憶體支援
  • hyReliability™閃存管理,包括卓越的磨損均衡、讀取干擾管理、動態數據刷新和電源故障管理,確保最高的可靠性和耐用性
  • 針對輻射和軟錯誤的先進保護,包括SRAM ECC和低alpha封裝
  • 先進的安全和加密功能
  • 通過API進行自定義韌體擴展和功能開發
  • 整體解決方案,包括韌體、製造套件、測試和開發硬件、參考線路圖以及健康監測工具
Hyperstone S8 NAND Flash Memory Controller

S9S - Security Product Information

目標應用程式
  • 用於安全應用的SecureDigital (SD)卡
  • 用於安全應用的microSD和Smart microSD
  • 安全的板載應用程序
產品性能
  • 連續讀取高達 90MB/s
  • 連續寫入高達 90MB/s
  • 持續 4K 隨機寫入超過 7.5MB/s
主機介面&相容
  • 符合SD物理層規範版本 3.01 至 7.1
  • 可支援CPRM和ASSD 3.0
  • 支援DS、HS、SDR12、SDR25、SDR50、SDR104 和 DDR50傳輸模式
  • SDR104 模式下主機傳輸速率高達104 MByte/s
  • 對C2加密和解密例程 (CPRM) 的硬體支援
  • SD 3.0 傳輸模式下用於 1.8V 信號電壓的片上穩壓器
快閃記憶體管理
  • hyReliability™閃存管理:卓越的磨損均衡、讀取干擾管理和電源故障管理,以確保最高的可靠性和耐用性
  • hyMap® 基於子頁面的客製化Flash轉換層 (FTL) 可實現最佳的隨機寫入性能、最小的寫入放大,從而為強調隨機存取的使用配置文件提供最高的耐久性(例如 JEDEC 企業工作負載)
  • 用於 SLC 緩存、過度配置、RAID 保護和性能調整的靈活預格式化設置,包括針對快速啟動時間的優化
  • 先進的熱管理功能可在擴展溫度下最大限度地提高性能和數據保護
  • 靜態、動態和全局磨損均衡
  • 壞塊管理、智能垃圾收集和支援交錯、緩存和多平面編程
  • 讀干擾管理和動態數據刷新
  • 一流的電源故障管理
  • 固件冗餘存儲,用於恢復和刷新以及現場固件更新,而不會丟失用戶數據
  • 安全擦除、快速擦除和安全修改
  • 通過固件 API 進行自定義固件擴展和功能開發,包括先進安全支援和智慧卡晶片啟動
  • 可依照要求自定義固件、優化和功能實現
控制器&微處理器
  • 基於Hyperstone架構的高性能微處理器內核
  • 通過內部振盪器和 PLL 發展靈活的時鐘頻率
  • 10個GPIO引腳為連接額外邏輯提供靈活性
  • 特殊GPIO傳輸模式包括 ISO7816、I2C 和 SPI
  • AES-128和AES-256支援CBC和XTS模式
  • SHA-256 哈希引擎和硬體RNG
  • PKA 單元,支援橢圓曲線加密演算法和RSA
  • 片上溫度傳感器
  • 在等待主機數據或閃存操作完成期間的自動斷電模式,在主機不活動期間的自動睡眠模式 
  • 電源電壓斷電檢測可實現完全斷電穩健性
  • 用於 1.1V 處理器內核電源的片上穩壓器
快閃記憶體 & 介面管理
  • 支援傳統異步、切換模式和 ONFI NAND
  • 支援ONFI SDR、NV-DDR、NV-DDR2 和 NV-DDR3 傳輸模式
  • 閃存的數據傳輸速率高達 400 MByte/s
  • 靈活內部存儲器中的頁面緩衝區可實現最佳閃存通道性能 
  • 支援閃存連接的所有控制信號
  • 支援多達4個閃存片選
  • 支援高達16 KB的閃存頁面大小
  • 固件支援持續更新所有可用技術,包括 SLC、pSLC、2D MLC、3D MLC、pMLC、3D TLC 和下一代 NAND 閃存
  • FlashXE® eXtended Endurance讀取通道針對每個閃存、先進BCH和GCC ECC算法使用1KB到4KB代碼字和軟信息ECC 解碼、讀取重試、RAID和數據恢復功能進行了優化,以確保盡可能低的讀取錯誤率和最大的耐用性
  • 閃存斷電邏輯和閃存寫入保護控制
  • 閃存中的固件存儲,由boot ROM加載到內部存儲器
  • 用於1.2V/1.8V閃存I/O電源的片上穩壓器
Block Diagram
Hyperstone S9s Block Diagram
購買資訊
  • S9-LASK08 - (LGA 64, 7.5 x 4 x 0.7mm, 4CEs, RoHs, -40 to +85 °C) 

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