U9快閃記憶體控制器

可靠的NAND快閃記憶體控制器用於工業存儲解決方案

USB 3.1 NAND快閃記憶體控制器

可靠的USB 3.1 NAND快閃記憶體控制器,適用於工業級USB快閃記憶體驅動器和eUSB模組

Hyperstone U9 NAND 快閃記憶體控制器為工業級、高耐用性和堅固耐用的快閃記憶體驅動器或模組提供易於使用的交鑰匙解決方案,這些驅動器或模組與具有 USB 3.1 SuperSpeed 5 Gbps 介面的主機系統相容。

  • 旨在完全滿足工業要求和功能要求
  • hyReliability™ 快閃記憶體管理,包括卓越的磨損均衡、讀取干擾管理和電源故障管理
  • hyMap® Flash 轉換層和映射提供首屈一指的隨機寫入性能、最小的寫入放大,因此對於隨機訪問大量使用配置檔(例如 JEDEC Enterprise)具有最高的耐久性
  • 靈活的96位/1K BCH ECC引擎,支援所有快閃記憶體要求
  • 優化的 32 位 RISC 內核,用於快閃記憶體處理的指令集
  • 高性能動態 AES 128 和 256 加密引擎
  • 16 個 GPIO,用於客戶特定應用,支援 SPI、I2C 和 ISO7816 或額外的快閃記憶體 CE
  • 內置溫度感應功能

下載U9產品指南

Hyperstone U9 NAND Flash Memory Controller

U-500, U-56, U-58

Swissbit eUSB 模組
  • 基於 U-500 SLC 的 NAND
    U-56 everbit™ pSLC/U-58 3D pSLC
  • USB 3.1 – 超高速
  • 熱插拔功能,無數據丟失
  • 工業温度範圍 -40°C 至 85°C 和 0°C 至 70°C
  • 基於頁面的 FTL,提供最佳寫入性能和耐久性
  • 標準和小型連接器
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U-500k, U-56k, U-50k

Swissbit USB "Key" 快閃記憶體驅動裝置
  • 基於 U-500k SLC 的 NAND
    U-56k everbit™ pSLC/U-50k MLC durabit™
  • USB 3.1 – 超高速
  • 熱插拔功能,無數據丟失
  • 工業温度範圍 -40°C 至 85°C 和 0°C 至 70°C
  • 基於頁面的 FTL,提供最佳寫入性能和耐久性
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U-50n, U-56n

Swissbit "Nano" 快閃記憶體驅動裝置
  • U-56n everbit™ pSLC/U-50n MLC durabit™
  • USB 3.1 – 超高速
  • 熱插拔功能,無數據丟失
  • 工業温度範圍 -40°C 至 85°C 和 0°C 至 70°C
  • 基於頁面的 FTL,提供最佳寫入性能和耐久性
  • 堅固的外殼,带 LED
  • 安全選件
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U9產品資訊

Target Application

  • 工業用途USB快閃記憶體裝置
  • eUSB,嵌入式USB模組
  • 超耐用快閃記憶體裝置
  • 安全性快閃記憶體裝置
  • 多晶片封裝
  • 板上電子盤
Performance

  • 完全符合USB 3.1 Gen 1規格
  • USB群儲存裝置品質 (MSC)
  • 支援 USB 連接 SCSI 協議(UASP)
  • SuperSpeed、高速、全速
  • 主機傳送速率最高可達5 Gbps
  • 連續讀取速度最高可達200 MB/s
  • 連續寫入速度最高可達150 MB/s
  • 持續4K隨機寫入超過5 MB/s
  • 支援安全清除和Sanitize 擦除功能
  • 自我監測、分析及報告技術以及硬碟的健康情況監控
  • -40 to +85 °C工規
Host Interface & Compliance

  • 完全符合USB 3.1 Gen1 規格
  • USB群儲存裝置品質 (MSC)
  • 可支援USB人性介面裝置(HID)
  • 四個可安裝配置端點
  • 支援高速,全速以及SuperSpeed 5Gbps傳輸
  • 大量,同步和中斷傳輸模式
  • 支援 USB 連接 SCSI 協議(UASP)
  • 透過指令使用ATA的S.M.A.R.T. Sanitize 擦除功能以及安全清除支援
  • 可設定提早回應避免斷電時資料遺失
Controller & CPU

  • 32位高性能Hyperstone RISC微處理器
  • 大容量內部RAM使固件更具靈活性
  • 16個GPIO管腳提供給客戶特別的應用,多重可選的介面包括:16 GPIOSPII2C, 8x CE ISO7816 
  • NTC 熱敏電阻介面和 ADC類比數位轉換器提供精確溫度記錄和優化的讀/寫操作
  • 為安全應用提供唯一的身份識別
  • 高性能動態即時加密/解密支持128256AES加密, CBCXTS模式
  • 硬體 RNG
  • 通過內部的晶振和鎖相環產生靈活的時鐘頻率
  • 主機資料等待和快閃記憶體操作結束自動進入休眠模式,主機非忙碌階段自動進入睡眠模式
  • 片上轉換電壓裝置產生1.2伏控制器內核的電源
  • 供應電壓 3.3V ± 5%
  • 應用程式撰寫介面(API)以及軟體開發套件(SDK)
Flash Memory & Interface Handling

  • 直接快閃記憶體訪問(DFA)攜處理器包含頁緩衝器和交織功能
  • DDR介面符合Toggle DDR和ONFI 2.1規格並相容所有DDR快閃記憶體
  • 非同步SDR介面符合ONFI1.0規格並相容以前介面規格的快閃記憶體
  • 雙電路資料傳輸至快閃記憶體的速度最高可達每一電路220 MB/s
  • 靈活的96-Bit/1K BCH ECC機制支持所有的快閃記憶體
  • CRC提供附加的穩定性
  • 可直接連接最多8個快閃記憶體晶片(CE)
  • 快閃記憶體斷電邏輯電路和防寫控制
  • 支援所有快閃記憶體技術和最大16KB的快閃記憶體頁面
  • 片上電壓裝置產生1.8伏快閃記憶體輸入輸出電源
Flash Memory Management

  • hyReliability™ 快閃記憶體管理對穩定性,斷電安全,耐久度,資料保存和性能進行了優化
  • 為了隨機使用分析資料 (例如 JEDEC Enterprise) hyMap®快閃記憶體轉換層提供領先的隨機寫入功能,最小的寫入放大,以及最高等級耐久度
  • 完整的快閃記憶體轉換層隨機快閃記憶體資料訪問包括邏輯塊位址到物理塊位址的映射
  • 壞塊管理
  • 通過靜態、動力和全域的均衡損耗來實現快閃記憶體耐久度最大化
  • 智慧型垃圾回收
  • 由讀取干擾引起的資料保存和刷新資料方面的問題通過讀取干擾管理和動態資料刷新來實現最優化
  • 對突發斷電進行管理
  • 交織,緩衝存放區和多平面寫入
  • 進行固件冗餘存儲確保資料恢復和更新
  • 無使用者資料遺失的現場固件更新
  • 根據要求可實現固件的客制化,最優化和個性化
Block Diagram
Hyperstone U9 Block Diagram
Order Information

  • U9-RBB06 (TFBGA-124, 9x9x1.2mm, 8 CEs, RoHS, -40 to +85 °C, tape-and-reel)
  • U9-RBB06-Y (TFBGA-124, 9x9x1.2mm, 8 CEs, RoHS, -40 to +85 °C, tray)
  • U9-0BBD0 (Tested Die / Wafer)

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