U9 快閃記憶體控制器
USB 3.1快閃記憶體控制器海派世通U9快閃記憶體控制器系列連同它所提供的固件為具有USB3.1 SuperSpeed 5 Gbps介面的主機系統提供了一種開發與其相容的工業級，堅固耐久的快閃記憶傳動裝置或快閃記憶體記憶模組的易用一體化方案。
- 充分滿足工業級條件與規格要求的設計
- 包括高級的均衡損秏，資料讀取抗干擾管理和斷電管理在內的hyReliability™快閃記憶體管理確保最高等級的穩定性和耐久性
- 為了隨機存取大量使用分析資料 (例如 JEDEC Enterprise) ，hyMap®快閃記憶體轉換層以及映射提供最佳隨機寫入性能，最小的寫入放大，以及最高等級耐久度
- 靈活的96-Bit/1K BCH 糾錯編碼機制支援各種快閃記憶體的需求
- 包含快閃記憶體管理指令集的優化的32位RISC核心
- 支援持續更新的快閃記憶體晶片和可長期獲得的快閃記憶體晶片
- 即時高性能的AES 128及256加密機制
- 通過簡易的固件升級提供客戶個性化的產品特徵
- 包括固件，生產元件，測試和開發硬體，參考圖在內的一體化方案
- 16個通用輸入輸出管腳支援基於 SPI，I2C和ISO 7816介面的客制化應用或是附加的快閃CE
- 應用程式撰寫介面(API)以及軟體開發套件(SDK)用以建立自有的客制固件擴充(CFE)
- 內建溫度感應功能
U9 Product Information
Target Application
- 工業用途USB快閃記憶體裝置
- eUSB,嵌入式USB模組
- 超耐用快閃記憶體裝置
- 安全性快閃記憶體裝置
- 多晶片封裝
- 板上電子盤
Performance
- 完全符合USB 3.1 Gen 1規格
- USB群儲存裝置品質 (MSC)
- 支援 USB 連接 SCSI 協議(UASP)
- SuperSpeed、高速、全速
- 主機傳送速率最高可達5 Gbps
- 連續讀取速度最高可達200 MB/s
- 連續寫入速度最高可達150 MB/s
- 持續4K隨機寫入超過5 MB/s
- 支援安全清除和Sanitize 擦除功能
- 自我監測、分析及報告技術以及硬碟的健康情況監控
- -40 to +85 °C工規
Host Interface & Compliance
- 完全符合USB 3.1 Gen1 規格
- USB群儲存裝置品質 (MSC)
- 可支援USB人性介面裝置(HID)
- 四個可安裝配置端點
- 支援高速，全速以及SuperSpeed 5Gbps傳輸
- 大量,同步和中斷傳輸模式
- 支援 USB 連接 SCSI 協議(UASP)
- 透過指令使用ATA的S.M.A.R.T. Sanitize 擦除功能以及安全清除支援
- 可設定提早回應避免斷電時資料遺失
Controller & CPU
- 32位高性能Hyperstone RISC微處理器
- 大容量內部RAM使固件更具靈活性
- 16個GPIO管腳提供給客戶特別的應用，多重可選的介面包括：16 GPIO，SPI，I2C, 8x CE 和 ISO7816
- NTC 熱敏電阻介面和 ADC類比數位轉換器提供精確溫度記錄和優化的讀/寫操作
- 為安全應用提供唯一的身份識別
- 高性能動態即時加密/解密支持128和256為AES加密， CBC和XTS模式
- 硬體 RNG
- 通過內部的晶振和鎖相環產生靈活的時鐘頻率
- 主機資料等待和快閃記憶體操作結束自動進入休眠模式，主機非忙碌階段自動進入睡眠模式
- 片上轉換電壓裝置產生1.2伏控制器內核的電源
- 供應電壓 3.3V ± 5%
- 應用程式撰寫介面(API)以及軟體開發套件(SDK)
Flash Memory & Interface Handling
- 直接快閃記憶體訪問(DFA)攜處理器包含頁緩衝器和交織功能
- DDR介面符合Toggle DDR和ONFI 2.1規格並相容所有DDR快閃記憶體
- 非同步SDR介面符合ONFI1.0規格並相容以前介面規格的快閃記憶體
- 雙電路資料傳輸至快閃記憶體的速度最高可達每一電路220 MB/s
- 靈活的96-Bit/1K BCH ECC機制支持所有的快閃記憶體
- CRC提供附加的穩定性
- 可直接連接最多8個快閃記憶體晶片(CE)
- 快閃記憶體斷電邏輯電路和防寫控制
- 支援所有快閃記憶體技術和最大16KB的快閃記憶體頁面
- 片上電壓裝置產生1.8伏快閃記憶體輸入輸出電源
Flash Memory Management
- hyReliability™ 快閃記憶體管理對穩定性，斷電安全，耐久度，資料保存和性能進行了優化
- 為了隨機使用分析資料 (例如 JEDEC Enterprise) ，hyMap®快閃記憶體轉換層提供領先的隨機寫入功能，最小的寫入放大，以及最高等級耐久度
- 完整的快閃記憶體轉換層隨機快閃記憶體資料訪問包括邏輯塊位址到物理塊位址的映射
- 壞塊管理
- 通過靜態、動力和全域的均衡損耗來實現快閃記憶體耐久度最大化
- 智慧型垃圾回收
- 由讀取干擾引起的資料保存和刷新資料方面的問題通過讀取干擾管理和動態資料刷新來實現最優化
- 對突發斷電進行管理
- 交織，緩衝存放區和多平面寫入
- 進行固件冗餘存儲確保資料恢復和更新
- 無使用者資料遺失的現場固件更新
- 根據要求可實現固件的客制化，最優化和個性化
Block Diagram
Order Information
- U9-RBB06 (TFBGA-124, 9x9x1.2mm, 8 CEs, RoHS, -40 to +85 °C, tape-and-reel)
- U9-RBB06-Y (TFBGA-124, 9x9x1.2mm, 8 CEs, RoHS, -40 to +85 °C, tray)
- U9-0BBD0 (Tested Die / Wafer)